အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် (AlN) ဝိုင်ဖာများ

1. အဓိကအင်္ဂါရပ်များနှင့် အားသာချက်များ

• Ultra-wide bandgap ≈ 6.2 eV — ပင်မတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများတွင် အမြင့်ဆုံး

• မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်မှု ≈ 320 W/m·K ထိရောက်သောအပူကိုစွန့်ထုတ်ခြင်း။

• အထူးကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်လျှပ်ကာ (>10¹³ Ω·cm) နှင့် မြင့်မားသောပြိုကွဲမှုအကွက် (12–15 MV/cm)

• GaN နှင့် ကောင်းမွန်သော ရာဇမတ်ကွက်များနှင့် အပူ-ချဲ့ခြင်း ကိုက်ညီသည် — GaN-on-AlN heterostructures အတွက် အကောင်းဆုံး

• တင်းကျပ်သော HR-XRD rocking-curve ထိန်းချုပ်မှုဖြင့် ရွေ့လျားမှုသိပ်သည်းမှုနည်းသော ရွေးချယ်စရာများ

• Ep-အဆင်သင့်မျက်နှာပြင်များအတွက် Al-face CMP (Ra ≤ 0.5 nm) နှင့် N-face MP

• ထုတ်လုပ်မှုနှင့် သုတေသနလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အရွယ်အစားနှင့် အရည်အသွေးအဆင့်များ (P/R/D)

2. ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• ရေဒါနှင့် 6G ဆက်သွယ်ရေးများအတွက် စွမ်းအားမြင့် RF စက်များ

• ဂရစ်၊ ဒေတာစင်တာများနှင့် လျှပ်စစ်ကားများအတွက် ဗို့အားမြင့် လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ

• နက်ရှိုင်းသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (UVC) LED များနှင့် လေဆာဒိုင်အိုဒများ

• GaN-on-AlN epitaxial ကြီးထွားမှုနှင့် အဆင့်မြင့် heterostructure ကိရိယာများ

• မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်နှင့် ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်းများ

3. ရရှိနိုင်သော အရွယ်အစားများနှင့် အရည်အသွေးအဆင့်များ

VeTek သည် AlN wafers များကို အောက်ပါစံဖော်မတ်များဖြင့် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ စိတ်ကြိုက်အရွယ်အစားနှင့် သတ်မှတ်ချက်များ တောင်းဆိုမှုအပေါ် ဆွေးနွေးနိုင်ပါသည်။

• 10 × 10 မီလီမီတာ စတုရန်းပုံအလွှာ

• 1 လက်မ (25.4 မီလီမီတာ) wafers

• 2 လက်မ (50.8 မီလီမီတာ) wafers

အရည်အသွေးအဆင့်များ- P-grade (ထုတ်ကုန်)၊ R-grade (သုတေသန)၊ D-grade (စမ်းသပ်ဆဲ)၊ အဓိကအားဖြင့် HR-XRD rocking-curve FWHM နှင့် ယေဘုယျအားဖြင့် ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးဖြင့် ကွဲပြားသည်။

4. အဓိက နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ

အရွယ်အစားများအလိုက် ဘုံသတ်မှတ်ချက်များ (ပုံမှန်တန်ဖိုးများ၊ အမှတ်အသားပြုထားသည့် အဆင့်-မူတည်သည်)

အရွယ်အစားအလိုက် ဂျီဩမေတြီခံနိုင်ရည်များ-

• 10×10 မီလီမီတာ- ဘေးဘက် အရှည် 10 မီလီမီတာ ± 0.5 မီလီမီတာ၊ TTV ≤ 15 μm; ညွှတ် ≤ 15 μm

• 1 လက်မ: အချင်း 25.4 mm ± 0.5 mm; အသုံးပြုနိုင်သောဧရိယာ ≥ 90%; TTV ≤ 20 μm; ညွှတ် ≤ 20 μm; မူလတန်းပြား (10-10) ± 5°၊ အရှည် 8 မီလီမီတာ ± 1 မီလီမီတာ

• 2 လက်မ: အချင်း 50.8 mm ± 0.5 mm; အသုံးပြုနိုင်သောဧရိယာ ≥ 90%; TTV ≤ 30 μm; ညွှတ် ≤ 30 μm; မူလတန်းပြန့်အရှည် 16 မီလီမီတာ ± 2 မီလီမီတာ

5. အဘယ်ကြောင့် VeTek AlN Wafers ကိုရွေးချယ်သနည်း။

အဆင့်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် အစိတ်အပိုင်းများကို အထူးပြုရောင်းချသူအနေဖြင့် VeTek Semiconductor က ပံ့ပိုးပေးသည်-

• ထိန်းချုပ်ထားသော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးနှင့် epi-အဆင်သင့်ရှိသော မျက်နှာပြင်များပါရှိသော အရည်အသွေးမြင့် AlN တစ်ခုတည်းသော သလင်းကျောက် wafers

• စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုနှင့် သုတေသနပရိုဂရမ်နှစ်ခုလုံးကို ပံ့ပိုးရန် အရွယ်အစားနှင့် အဆင့်ရွေးချယ်စရာများစွာ

• VeTek တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအစုစုအောက်ရှိ ဖြည့်စွက် wafer နှင့် substrate ဖြေရှင်းချက်

• ပစ္စည်းရွေးချယ်မှုနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိသော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် နည်းပညာပံ့ပိုးမှု

ကျွန်ုပ်တို့၏ AlN wafers များသည် သုံးစွဲသူများအား စွမ်းအားမြင့် RF၊ ဗို့အားမြင့်စွမ်းအင်နှင့် နက်ရှိုင်းသော UV optoelectronic စက်ပစ္စည်းများ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးပါသည်။