သုံးပွင့်ပွင့်ဖိုက် croucible

Vetek Semiconductor ၏ Petal throughite croucies သုံးခု cz mether ၏ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်အတွက်ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့်ဒီဇိုင်းသုံးခုကို CZ mether (သုံးပွင့်ဆိုင်ဖွဲ့စည်းပုံဖိုက်ဖိုက်ပိုးအိတ်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ ဆန်းသစ်သုံးပွင့်ပွင့်ချပ်ဖွဲ့စည်းပုံအနေဖြင့်ရိုးရာပေါင်းစည်းထားသော Crucible သည်စည်းလုံးညီညွတ်မှုဆိုင်ရာအခက်အခဲများ,

အဓိကလုပ်ငန်းစဉ်ပေါ်လွင်ချက်များ

1 ။ Ultra-Precision Precisite ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ

ပစ္စည်းသန့်ရှင်းရေး - လိုအပ်ပါက silicon အရည်ပျော်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းတွင်ညစ်ညမ်းမှုသုညဖြစ်မှုသုညညစ်ညမ်းမှုကိုသေချာစေရန်လိုအပ်ပါက 5ppm တွင် asostatic pressioned charge substrate ကိုအသုံးပြုခြင်း

ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာအားဖြည့်ခြင်း - 2200 at တွင်ဂေဟက်စ်သည် bend စွမ်းအားသည်≥45× 10 ×10⁻⁶ / ℃ဖြစ်သည်။

Surface Intere: 10-15μm pyrolytic carbon ateating သည် cvd လုပ်ငန်းစဉ်အပေါ်ဓာတ်ငွေ့ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် (ကိုယ်အလေးချိန်ကျခြင်း <1.5 ud/100h@1600℃)

2 ။ ဆန်းသစ်သုံးပွင့်တည်ဆောက်ပုံဒီဇိုင်း

Modular စည်းဝေးပွဲ: 120 °တပ်ဆင်ထားသည့်အမြှောက်သုံးပေါ်ရှိပုံရိပ်သုံးခုဖွဲ့စည်းပုံ, installation နှင့် disassemly and and and and and and and and and and andmitly ထိရောက်မှုသည် 300% တိုးလာသည်။

စိတ်ဖိစီးမှုလွှတ်ပေးရန်ဒီဇိုင်း - ဖွဲ့စည်းပုံသည်အပူတိုးချဲ့မှုစိတ်ဖိစီးမှုကိုထိရောက်စွာဖြည့်ဆည်းပေးပြီး 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုသံသရာ 200 ကျော်တိုးချဲ့သည်

တိကျသောမထိုက်မတန် - အဆို့ရှင်များအကြားကွာဟချက်သည် <0.1 မီလီမီတာနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ကြွေထည်သည်ဆီလီကွန်အရည်ပျော်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်း၌သုညယိုစိမ့်မှုကိုသေချာစေသည်

3 ။ စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်းန်ဆောင်မှုများ

ပံ့ပိုးမှုφ16 "-φ40" full-size စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်း, နံရံအထူသည်းခံစိတ်ထိန်းချုပ်မှု± 0.5 မီလီမီတာ

1.83G / CMT 1.83G / CMT ကို 1.83G / CMT ကိုရွေးချယ်နိုင်သည်

Boron Nitride Composite Composite Composite Commosite နှင့် Rhenium သတ္တုအစွန်းအားအားဖြည့်ခြင်းကဲ့သို့သောတန်ဖိုးမြှင့်တင်ထားသောလုပ်ငန်းစဉ်များကိုပေးပါ

ပုံမှန် application ဇာတ်လမ်း

Photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်း

Monocrystalline ဆီလီကွန်လှံတံစဉ်ဆက်မပြတ်ပုံဆွဲခြင်း - G12 ကြီးမားသော Silicon Wafer ထုတ်လုပ်မှု,

n-type topcon ဘက်ထရီ - Ultra-Low အညစ်အကြေးရွှေ့ပြောင်းနေထိုင်မှုရွှေ့ပြောင်းခြင်းသည်လူနည်းစုဘဝ> 2ms ကိုအာမခံသည်

အပူနယ်ပယ်အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်း - ပင်မကြည်လင်သောမီးဖိုချောင်သုံးပစ္စည်းများ (PVI, Ferrotec, စသည်) နှင့်သဟဇာတဖြစ်သည်။

semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှု

8-12 လက်မ Semiconductor-Graight Monocrystall Silicon တိုးတက်မှုနှုန်း: Semi Standard Class-10 သန့်ရှင်းမှုလိုအပ်ချက်များနှင့်တွေ့ဆုံရန်

အထူး doped crystals: Boron / Phosphorus ဖြန့်ဖြူးရေးတူညီမှုကိုတိကျသောထိန်းချုပ်မှု

တတိယမျိုးဆက် semiconductor: သဟဇာတဖြစ်သော SIC Sice Crystal ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်

သိပ္ပံနည်းကျသုတေသနလယ်ကွင်း

အာကာသနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များအတွက် Ultra -t ပါးလွှာသောဆီလီကွန်ကနင့်၏သုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု

Crystal ပစ္စည်းများအသစ်များ (Gujoyium, Gallium Arsium Arsium)

Parameter သုတေသန (3000 ul ultra-high အပူချိန်အရည်ပျော်သောအပူချိန်) ကန့်သတ်ချက်

အရည်အသွေးအာမခံချက်စနစ်

ISO 9001/14001 dual system လက်မှတ်လက်မှတ်

ဖောက်သည်များအတွက်ပစ္စည်းစစ်ဆေးမှုအစီရင်ခံစာ (XRD ဖွဲ့စည်းမှုလေ့လာဆန်းစစ်ခြင်း,

လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံး Tracereability System (Laser Marking + Blockchain Storage)