Silicon Carbide Coated Epi Susceptor

Semiconductor epitaxy ဆိုသည်မှာ ဓာတ်ငွေ့အဆင့်၊ အရည်အဆင့် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးအလင်းတန်းများ စုဆောင်းခြင်းကဲ့သို့သော နည်းလမ်းများဖြင့် ပါးလွှာသော ဖလင်အလွှာ (epitaxial layer) တွင် သေးငယ်သော ဖလင်များ ကြီးထွားလာခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ တူညီသော သို့မဟုတ် ဆင်တူသော ရာဇမတ်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အလွှာအဖြစ် တိမ်းညွှတ်မှု။ 

Epitaxy နည်းပညာသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အရေးပါသော၊ အထူးသဖြင့် အရည်အသွေးမြင့် ပါးလွှာသောဖလင်များကို ပြင်ဆင်မှုတွင်၊ တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာများ၊ heterostructures နှင့် ကွမ်တမ်ဖွဲ့စည်းပုံများကဲ့သို့ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်စက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသည့် ကွမ်တမ်ဖွဲ့စည်းပုံများကဲ့သို့သော အရည်အသွေးမြင့် ပါးလွှာသောဖလင်များကို ပြင်ဆင်မှုတွင် အရေးကြီးပါသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော Epi susceptor သည် epitaxial ကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ ပစ္စည်းများတွင် အလွှာကို ပံ့ပိုးရန်အတွက် အဓိက အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး Silicon epitaxy တွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။ epitaxial pedestal ၏အရည်အသွေးနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်သည် epitaxial အလွှာ၏ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးကိုတိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်ပြီး semiconductor ကိရိယာများ၏နောက်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်တွင်အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်သည်။

Vetek Semiconductor သည် CVD Method မှ SCL Gaptite ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SIC ဂျက်ဖတ်မနည်းမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် CIC ဖုံးအုပ်ထားသည့်အလွှာကိုဖုံးအုပ်ထားပြီးမြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံခြင်း,

ပုံမှန် barrel ဓာတ်ပေါင်းဖို၌, ဆီလီကွန်ကာလက်သည် capide coated Epi Suator တွင်စည်ဖွဲ့စည်းပုံရှိသည်။ SIC coated Epi Susceptor ၏အောက်ခြေသည်လှည့်ထားသောရိုးတံနှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ Estitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းစဉ်အတွင်း၎င်းသည်လက်ယာရစ်လက်ယာရစ်နှင့်လက်ယာရစ်အလှည့်အပြောင်းကိုပြောင်းလဲစေသည်။ ဓာတ်ငွေ့သည်ဓာတ်ငွေ့မှတစ်ဆင့်တုံ့ပြန်မှုအခန်းထဲသို့ 0 င်ရောက်သောအခန်းထဲသို့ 0 င်ရောက်လာသည်။

SIC coated sprodite နှင့် oxidation အချိန်၏အစုလိုက်အပြုံလိုက်ပြောင်းလဲမှုအကြားဆက်ဆံရေး

ထုတ်ပြန်ထားသော လေ့လာမှုများ၏ ရလဒ်များက 1400 ℃ နှင့် 1600 ℃ တွင် SiC coated graphite ၏ ဒြပ်ထုသည် အနည်းငယ်သာ တိုးလာသည်ကို တွေ့ရသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ SiC coated graphite သည် ပြင်းထန်သော antioxidant စွမ်းရည်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့်၊ SiC coated Epi susceptor သည် epitaxial မီးဖိုအများစုတွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။ သင့်တွင်လိုအပ်ချက်များသို့မဟုတ်စိတ်ကြိုက်လိုအပ်ချက်များရှိပါက ကျေးဇူးပြု. ကျွန်ုပ်တို့နှင့်ဆက်သွယ်ပါ။ ကျွန်ုပ်တို့သည်အကောင်းဆုံးအရည်အသွေး sic coated Epi SUREptor Solutions များကိုထောက်ပံ့ရန်ကျွန်ုပ်တို့ကတိကဝတ်ပြုထားသည်။

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

VeTek SemiconductorSilicon Carbide Coated Epi Susceptor ဆိုင်များ