အပိုင်းတံဆိပ်ခတ်

Sic Sening Seleging အပိုင်းသည် Sememonductor အပြောင်းအလဲနဲ့အတွက်အဓိကအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည်။ ၎င်း၏အကောင်းဆုံးပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရသောတံဆိပ်ခတ်ခြင်းကထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်နိုင်မှုကိုတိုးတက်စေရုံသာမကထုတ်ကုန်အရည်အသွေးနှင့်လုံခြုံမှုကိုလည်းသေချာစေသည်။

silicon carbide ၏အဓိကအားသာချက်များ:

ထူးချွန် corrosion ခုခံဖြေ - အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများတွင် Veteksemi Sic တံဆိပ်ခတ်ခြင်းအပိုင်းသည်အက်ဆစ်နှင့်အယ်ကာလိုင်းပတ်ဝန်းကျင်တွင်အကောင်းဆုံးချေးခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤမျှမတူနိုင်သည့် corrosion ခုခံမှုသည်ဓာတုဗေဒအရတညီတညွတ်တည်းလောင်ကျွမ်းနေသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ထိရောက်စွာလည်ပတ်နိုင်ပြီး၎င်းသည်တဖြည်းဖြည်းစားသုံးတတ်သောပစ္စည်းများနှင့်ထိတွေ့လေ့ရှိသောစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောပစ္စည်းများကိုပြုလုပ်နိုင်သည်။

ပေါ့ပါးပြီးခိုင်မာတဲ့: ဆီလီကွန်ကာလက်သည်ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 3.2 G / cm³၏သိပ်သည်းဆရှိသည်။ ပေါ့ပါးသောကြွေထည်ပစ္စည်းဖြစ်သော်လည်းဆီလီကွန်ကာလက်သည်စိန်နှင့်နှိုင်းယှဉ်နိုင်သည်။ ၎င်းသည်အလင်းနှင့်ခွန်အားပေါင်းစပ်မှုသည်စက်မှုအစိတ်အပိုင်းများ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်စေသည်။ Sic တံဆိပ်ခတ်ခြင်းအပိုင်း၏ပေါ့ပါးသောသဘောသဘာဝသည်အစိတ်အပိုင်းများကိုပိုမိုလွယ်ကူစွာကိုင်တွယ်နိုင်ပြီးတပ်ဆင်ခြင်းကိုလွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။

အလွန်မြင့်မားသောခဲယဉ်းနှင့်မြင့်မားသောအပူစီးကူးဖြေ - ဆီလီကွန်ကာလက်သည် 9 ~ 10 ၏ Mohs Hardness ရှိသည်စိန်နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါ။ မြင့်မားသောအပူစီးဆင်းမှုမြင့်မားခြင်း (အခန်းအပူချိန်တွင် 120-200 W / M & M / M / M သည်), SIC SEASTS) သည်အဆင့်နိမ့်ပစ္စည်းများပျက်စီးစေသည့်အခြေအနေများတွင်ပေါင်းစပ်ထားသည်။ SIC ၏အလွန်ကောင်းမွန်သောစက်ယန္တရားဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည်အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိထိန်းသိမ်းထားပြီး SIC SEEDS သည်အပူချိန်မြင့်မားသော application များ၌ပင်အားကောင်းသည့်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရဆဲဖြစ်သည်။

မြင့်မားသောခဲယဉ်းနှင့်ဝတ်ဆင်: ဆီလီကွန်ကာဗွန်သည် Crystal Lattice တွင်ခိုင်မာသော covalent bonds များဖြင့်သွင်ပြင်လက်ခဏာရှိသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများသည်အလွန်ကောင်းမွန်သော 0 တ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်သို့ဘာသာပြန်ဆိုခြင်း, ရေရှည်အသုံးပြုမှုအပြီးတွင်ကွေးခြင်းသို့မဟုတ်ပုံပျက်မှုဖြစ်နိုင်ခြေကိုလျော့နည်းစေသည်။ ဤသည်လုပ်နည်း secting အစိတ်အပိုင်းများအတွက်အစွမ်းထက်တဲ့စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစိတ်ဖိစီးမှုနှင့်ပွန်းစားခြင်းအခြေအနေများနှင့်ပွန်းစားခြင်းအခြေအနေများအကြောင်းကြားသည်။

အကာအကွယ် silicon dioxide အလွှာဖွဲ့စည်းရေးဖြေ - ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1300 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အပူချိန် 1300 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်အပူချိန်နှင့်ထိတွေ့မိသည့်အခါဆီလီကွန်ကာလက်သည်အကာအကွယ် silicon dioxide (SIO) ကိုဖွဲ့စည်းသည်₂) ၎င်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်မှာ layer ။ ဤအလွှာသည်နောက်ထပ်ဓာတ်တိုးခြင်းနှင့်ဓာတုအပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုများကိုတားဆီးရန်အတားအဆီးတစ်ခုအဖြစ်ဆောင်ရွက်သည်။ sio အဖြစ်₂Layer ထူပြီးအခြားတုံ့ပြန်မှုများမှနောက်ခံ SIC ကိုပိုမိုကာကွယ်ပေးသည်။ ဤ Self-Lim-Limpinging oardation လုပ်ငန်းစဉ်သည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောဓာတုဗေဒဆိုင်ရာခုခံမှုနှင့်တည်ငြိမ်မှုကိုပေးသည်။

မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည် applications များရှိဘက်စုံသုံး:Silicon Carbide ၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများသည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော application အမျိုးမျိုးတွင်စွယ်စုံနှင့်အကျိုးရှိစေသည်။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတံဆိပ်များနှင့်ဝက်ဝံများမှအပူ 0 င်တာဘိုင်အစိတ်အပိုင်းများကိုအပူပေးရန်နှင့်သမာဓိကိုခံနိုင်ရည်ရှိစေရန်နှင့်သမာဓိစောင့်ထိန်းနိုင်စွမ်းကိုထိန်းသိမ်းရန်နှင့်၎င်း၏သမာဓိရှိမှုကိုထိန်းသိမ်းရန် SEADESED SENDESS SENDESS SESTESS SEADES) မှအဆင့်မြင့်အင်ဂျင်နီယာဖြေရှင်းနည်းများကိုရွေးချယ်ခြင်း၏ပစ္စည်းကိုရွေးချယ်ခြင်းကိုပြုလုပ်သည်။

Vetek Semiconductor သည် Semiconductor Industry အတွက်အဆင့်မြင့်နည်းပညာနှင့်ထုတ်ကုန်ဖြေရှင်းနည်းများကိုထောက်ပံ့ရန်ကတိကဝတ်ပြုခဲ့သည်။ ထို့အပြင်ကျွန်ုပ်တို့၏ SIC ထုတ်ကုန်များတွင်လည်းပါဝင်သည်Silicon carbide အပေါ်ယံပိုင်း, ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာဗွန်ကြွေထည်နှင့်SIC EstAxAxy လုပ်ငန်းစဉ်ထုတ်ကုန်များ။ သင့်ရဲ့နောက်ထပ်တိုင်ပင်ဆွေးနွေးမှုကိုကြိုဆိုပါတယ်။

CVD SIC ရုပ်ရှင် CRYSTAL ဖွဲ့စည်းပုံ၏ SEM အချက်အလက်များ：