Silicon Carbide Cowit Cowitic CapeTite အပူပေးစက်

က semiconductor Silicon Carbide Cowit Cowitic CapeTite အပူပေးစက်အလွန်ကောင်းမွန်သောလျှပ်စစ်နှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်ဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်နှင့်အတူခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, 

Silicon Carbide Cowit Cowitic CapeTite အပူပေးစက်အဓိကအားဖြင့်လေဟာနယ်အပေါ်ယံပိုင်း (အငွေ့ဖြင့်) ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အသုံးပြုသည်။ အသုံးပြုလေ့ရှိသောနည်းလမ်းများမှာ PCD (Plasma ဓာတုဗေဒခြောက်သွေ့ခြင်း) နှင့် PVD (ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့) ဖြစ်သည်။ ဤထုတ်ကုန်သည်နည်းပညာတိုးတက်မှုကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် Semiconductor Industry တွင်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ရေးတွင်အရေးကြီးသောအခန်းကဏ် played မှပါဝင်ခဲ့သည်။ငါတို့သည်သင်တို့နှင့်အတူနောက်ထပ်ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုကိုစိတ်ရင်းမှန်နဲ့မျှော်လင့်ပါတယ်.

ဆီလီကွန်ကာဘန်း cowitic cowite cofite အပူပေးစက်၏ပစ္စည်းနှင့်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာအသွင်အပြင်များမှာအောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်:

Graphite အလွှာ: Captite သည်၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးရေးစနစ်နှင့်အပူတိုးချဲ့ကိန်းအနိမ့်အနေဖြင့်လူသိများသည်။ ၎င်းသည်အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကိုလျင်မြန်စွာတုံ့ပြန်နိုင်ပြီးမြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဘွန်ကြွေထည်: SIC COUTEANT ကိုဓာတုအခိုးအငွေ့ (သို့) အခြားအဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များမှတဆင့်ဂလူးမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်အညီအမျှဖုံးအုပ်ထားသည်။ SIC သည်အလွန်မြင့်မားသောခဲယဉ်းပြီးဓာတုဓာတ်အားပေးစက်ဝိုင်းခုခံမှုများကိုမြင့်မားသောဓါတ်တိုးများနှင့်တဖြည်းဖြည်းထိန်းသက်သောပတ်ဝန်းကျင်များမှကာကွယ်နိုင်သည်။

Silicon Carbide Ceramic Cowiter အပူပေးစက်၏အထူးထုတ်ကုန်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာဒီဇိုင်းဒီဇိုင်းဆုံးဖြတ်သည်Semiconductor processing process တွင်ဤထုတ်ကုန်၏ဤထုတ်ကုန်၏ IRREplacepleable ထုတ်ကုန်၏အားသာချက်များ:

ထိရောက်သောနှင့်ယူနီဖောင်းအပူ:

အပူကူးယူခြင်းဖြေ - ဖိုက်စု၏မြင့်မားသောစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်းကအပူပေးစက်သည်လိုအပ်သောအပူချိန်ကိုလျင်မြန်စွာလက်လှမ်းမီစေရန်နှင့်ဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားသည်။ ၎င်းသည်အထူးသဖြင့်မြန်ဆန်သောအပူချိန် (RTP) နှင့်ဓာတုအငှား (CVD) ကဲ့သို့သောတိကျသောအပူချိန်ထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သော Semiconductor ဖြစ်စဉ်များအတွက်အထူးအရေးကြီးသည်။

အပူချိန်ယူနီဖောင်း: ယူနီဖောင်းအပူဖြန့်ဖြူးခြင်းအားဖြင့်ဆီလီကွန်ကာဘန်းကြွေထည် ceramit ceramit coatter coatter အပူပေးစက်သည်အပူလုပ်ငန်းစဉ်တစ်လျှောက်လုံးတွင်တည်တံ့သောနှင့်အရည်အသွေးတည်ငြိမ်မှုကိုထိရောက်စွာထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်သည်။

ဆန့်ကျင်ရေးကာကွယ်စောင့်ရှောက်ရေးကာကွယ်ရေး:

ဓာတုခုခံSIC Coating ၏ဓာတုဓာတ်အားပေးစက်မှုခုခံမှုသည်အပူပေးစက်ကိုလောင်ကျွမ်းစေသောဓာတ်ငွေ့နှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာပတ်ဝန်းကျင်တွင်ကြာမြင့်စွာလည်ပတ်နိုင်စေပြီး, ဤအင်္ဂါရပ်သည်အထူးသဖြင့်ဓာတုအခိုးအငွေ့ (CVD) နှင့် Plasma Enhanced Mositionediced ဓာတုသိုလှောင်ထားသည့်ဓာတုအငှား (PECVD) စသည့်လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်အထူးအရေးကြီးသည်။

oxidation ခုခံ: အပူချိန်မြင့်မားမှာ, Sic Coating သည် graphite အလွှာ၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုတိုးချဲ့ခြင်းကိုတားဆီးနိုင်သည်။

အမှုန်ညစ်ညမ်းမှုကိုလျှော့ချပါ:

မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုSic Betting သည် 0 တ်စုံကိုခံနိုင်ရည်ရှိရုံသာမကအမှုန်များစက်ဘီးစီးခြင်းသို့မဟုတ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတုံ့ပြန်မှုများကြောင့်အမှုန်များပေါ်ပေါက်လာခြင်းမှအမှုန်များကိုလည်းတားဆီးနိုင်သည်။

လုပ်ငန်းစဉ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေသည်:

Long-Life ဒီဇိုင်း: စင်္ကြံ၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအင်အားနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းကြောင့် Silicon Carbide Cowit Ceramit Ceramit Cowitic Cowiting Silicon Ceramic Peramic Properter သည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောလုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေများအောက်တွင်ကြာမြင့်စွာကတည်းကထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီး,

ထိရောက်သောစွမ်းအင်အသုံးချ: ဂရပ်ဖစ်၏မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်အပူချိန်မြင့်မားနိုင်မှုမြင့်မားခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားနိုင်မှုတည်ငြိမ်မှုသည်အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုတိကျမှန်ကန်မှုကိုတိုးတက်စေပြီးအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုတိကျမှန်ကန်မှုကိုတိုးတက်စေပြီးအပူချိန်ကိုစွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုလျှော့ချနိုင်သည်။

၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများSilicon Carbide Cowit Cowitic CapeTite အပူပေးစက်:

က semiconductorSilicon Carbide Cowit Cowitic CapeTite အပူပေးစက်စျေးဆိုင်:

Semiconductor Chip Egitaxy စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်:

/ အခြား - လုပ်ငန်းစဉ်