ဆီလီကွန်ကာဘိုင် ကြွေထည်ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်

VeTek Semiconductor Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite အပူပေးစက်ဂရပ်ဖိုက်၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်နှင့် အပူစီးကူးမှုကို မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်အပေါ်ယံပိုင်း၏ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်တို့နှင့် ပေါင်းစပ်ထားပြီး ကြမ်းတမ်းသော semiconductor ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ 

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်ဖုန်စုပ်စက် (ရေငွေ့ပျံခြင်း) စက်ပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး အသုံးများသောနည်းလမ်းများမှာ PCD (Plasma Chemical Drying) နှင့် PVD (Physical vapor deposition) တို့ဖြစ်သည်။ ဤထုတ်ကုန်သည် နည်းပညာတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ခဲ့သည်။ကျွန်ုပ်တို့သည် သင်နှင့်ထပ်မံပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုကို ရိုးသားစွာမျှော်လင့်ပါသည်။.

Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite အပူပေးစက် ၏ ပစ္စည်းနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အင်္ဂါရပ်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။:

ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ: Graphite သည် ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှုနှင့် အပူချဲ့ကိန်း နိမ့်ခြင်းကြောင့် လူသိများသည်။ အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို လျင်မြန်စွာ တုံ့ပြန်နိုင်ပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗွန်ကြွေထည်အလွှာ: SiC coating သည် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် အခြားအဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များမှတဆင့် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အညီအမျှ ဖုံးအုပ်ထားသည်။ SiC သည် အလွန်မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ဓာတုချေးခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အပူချိန်မြင့်မားသော ဓာတ်တိုးမှုနှင့် အဆိပ်သင့်သောပတ်ဝန်းကျင်များမှ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို ကာကွယ်ပေးနိုင်သည်။

Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite အပူပေးစက် ၏ အထူးထုတ်ကုန်တည်ဆောက်ပုံဒီဇိုင်းကို ဆုံးဖြတ်သည်။semiconductor processing လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဤထုတ်ကုန်၏ အစားထိုး၍မရသော ထုတ်ကုန်အားသာချက်များ:

ထိရောက်ပြီး တစ်ပြေးညီ အပူပေးခြင်း:

အပူစီးကူးမှု: ဂရပ်ဖိုက်၏ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုသည် အပူပေးကိရိယာအား လိုအပ်သောအပူချိန်ကို လျင်မြန်စွာရောက်ရှိအောင် ထိန်းသိမ်းနိုင်စေပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်းမှ အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို တူညီစွာရရှိစေပါသည်။ ၎င်းသည် လျင်မြန်သောအပူလုပ်ဆောင်ခြင်း (RTP) နှင့် ဓာတုအငွေ့ပြန်ခြင်း (CVD) ကဲ့သို့သော တိကျသောအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်သည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

အပူချိန် တူညီမှု: တူညီသောအပူဖြန့်ဖြူးခြင်းအားဖြင့်၊ Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater သည် အပူဒဏ်နှင့် အပူချိန် gradient ကို ထိထိရောက်ရောက် လျှော့ချနိုင်ပြီး အပူပေးသည့်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်လျှောက်လုံး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers များ၏ အရည်အသွေးနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို အာမခံပါသည်။

သံချေးတက်ခြင်း ကာကွယ်ရေး:

ဓာတုခုခံမှု- SiC coating ၏ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှုသည် အပူပေးစက်အား အဆိပ်သင့်သော ဓာတ်ငွေ့နှင့် ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွင် အချိန်ကြာကြာ တည်ငြိမ်စွာ လည်ပတ်နိုင်စေပြီး ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို ထိခိုက်မှုမှ ကင်းဝေးစေသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) နှင့် ပလာစမာအဆင့်မြှင့်တင်ထားသော ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း (PECVD) ကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု: မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် SiC coating သည် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ ဓာတ်တိုးမှုကို တားဆီးနိုင်ပြီး အပူပေးစက်၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးစေကာ ကြိမ်နှုန်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုစရိတ်တို့ကို လျှော့ချနိုင်သည်။

အမှုန်အမွှားညစ်ညမ်းမှုကိုလျှော့ချ:

မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှု: SiC coating သည် ခံနိုင်ရည်ရှိရုံသာမက အပူစက်ဘီးစီးခြင်း သို့မဟုတ် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများကြောင့် အမှုန်အမွှားများ မျက်နှာပြင်ပေါ်မှ အမှုန်အမွှားများ ကြွေကျခြင်းကို တားဆီးပေးသည်၊ ထို့ကြောင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည့် အမှုန်အမွှားညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးပြီး သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်ကို အာမခံပါသည်။

လုပ်ငန်းစဉ်၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပါ။:

အသက်ရှည်ဒီဇိုင်း: ဂရပ်ဖိုက်၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအားနှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏ ခံနိုင်ရည်အား ပေါင်းစပ်မှုကြောင့်၊ Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater သည် ပြင်းထန်သော လုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများအောက်တွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော လည်ပတ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်ပြီး စက်ပစ္စည်းများ၏ အလုံးစုံယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေသည်။

စွမ်းအင်ကို ထိရောက်စွာ အသုံးချခြင်း။: ဂရပ်ဖိုက်၏ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏ အပူချိန်မြင့်မားသော တည်ငြိမ်မှုသည် အပူထိန်းကိရိယာကို အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု တိကျမှုကို တိုးတက်စေပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချစေပြီး၊ ထို့ကြောင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှု၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများSilicon Carbide Ceramic Coating Graphite အပူပေးစက်:

VeTek SemiconductorSilicon Carbide Ceramic Coating Graphite အပူပေးစက်ဆိုင်များ:

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ချစ်ပ်စ် epitaxy လုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်:

/ အခြားလုပ်ငန်းစဉ်