SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial ဗန်း

Vetek Semiconductor ၏ Sic Coating Monocrystalline Silicon Egitaxial Estalogue Estitonon Egitaxial Tray သည်အထူးဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားပြီး Monocrystall Silicon Egitaxy နှင့်ဆက်စပ်သော semiconductor device များစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်အရေးကြီးသောအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည်။SIC အဖုံးဗန်း၏အပူချိန်ခံနိုင်ရည်နှင့် ချေးခံနိုင်ရည်တို့ကို သိသာထင်ရှားစွာတိုးတက်စေရုံသာမက လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ရေရှည်တည်ငြိမ်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကောင်းမွန်မှုကိုလည်း အာမခံပါသည်။

SIC အဖုံး ၏အားသာချက်များ

●အပူမြင့်မားခြင်း: SiC coating သည် ဗန်း၏အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်ကို များစွာတိုးတက်စေပြီး ပါဝါမြင့်သောကိရိယာများမှထုတ်ပေးသော အပူကို ထိထိရောက်ရောက် ခွဲထုတ်နိုင်သည်။

●တိုက်စားရန်: SIC Coating သည်ရေရှည် 0 န်ဆောင်မှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုသေချာစေရန်အတွက်မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်တဖြည်းဖြည်းထိန်းသက်ပတ်သောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ကောင်းစွာလုပ်ဆောင်သည်။

●  မျက်နှာပြင် တူညီမှု: မျက်နှာပြင်နှင့်ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်ကိုထိရောက်စွာဖြည့်ဆည်းပေးခြင်းနှင့်မြေမျက်နှာပြင်မညီမညာဖြစ်နေသောအမှားများကိုထိရောက်စွာရှောင်ရှားခြင်းနှင့် Estitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းကိုသေချာစေရန်။

သုတေသနအရ Confidite အလွှာ၏အရွယ်အစားသည် 100 မှ 500 ကြားရှိသည့်အခါ SIC Gradient Coating သည် Graphite အလွှာတွင်အဆင်သင့်ဖြစ်နေသည် ဒီဂရိတ် (တြိဂံမျဉ်းစြေကွေး) အပေါ် SIC COCIDation ခုခံမှုသည်ပုံသဏ် silic ာရီဆန်ဆန် silicon epitaxy ၏ကြီးထွားမှုအတွက်သင့်လျော်သောပုံသဏ် into ာန်၏အခြားသတ်မှတ်ချက်များထက်ပိုမိုအားကောင်းသည်။ Vetek Semiconductor ၏ CIC Coating Monocrystalline Silicon Egitaxial EGAPAGAXAXIAL TRAY သည် SGLAXAXE TRAY ကိုအသုံးပြုသည်Graphite အလွှာထိုသို့သော စွမ်းဆောင်မှုမျိုးကို ရရှိအောင် စွမ်းဆောင်နိုင်ခဲ့ပါသည်။

Vetek Semiconductor ၏ CIC CIC CISICOLSTARSINS Silicon EGATAXOX EGATAXAXIAL TRAY သည်အကောင်းဆုံးသောဂေဟက်စ်နှင့်အကောင်းဆုံးသော graphite ပစ္စည်းများကိုအသုံးပြုသည်။ အရေးအကြီးဆုံးမှာမည်သည့်ထုတ်ကုန်စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ပြောင်းလဲမှုလိုအပ်ချက်များရှိပါစေကျွန်ုပ်တို့တွေ့ဆုံရန်အတတ်နိုင်ဆုံးကြိုးစားနိုင်သည်။

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

Vetek Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်များ