ပျံ့နှံ့မှုအတွက် Quartz Furnace Tube

1. အဓိကအင်္ဂါရပ်များနှင့် အားသာချက်များ

• ppb အဆင့်တွင် ထိန်းချုပ်ထားသော သတ္တုအညစ်အကြေးများနှင့် အလွန်နည်းသော ဟိုက်ဒရော့စီပါဝင်မှု အလွန်နည်းသော သန့်စင်မှုအလွန်မြင့်မားသော dehydroxylated fused quartz (SiO₂ ≥ 99.999%)

• ရေရှည်လည်ပတ်မှုအပူချိန် 1100°C အထိ၊ 1200 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိရေတိုရေရှည်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

• စိတ်ဖိစီးမှု-သက်သာရာရမှု အပြည့်အ၀လိမ်းပြီးနောက် အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး - လျင်မြန်သော အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုအောက်တွင် ကွဲအက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

• ဓာတ်တိုးခြင်း၊ လျှော့ချခြင်းနှင့် ဟေလိုဂျင်ပါရှိသော ဓာတ်ငွေ့များကို ဆန့်ကျင်သည့် ထူးထူးခြားခြား ဓာတုမသန်စွမ်းမှု၊ ပလာစမာနှင့် အဆိပ်သင့်သောလေထုများအတွက် သင့်လျော်သည်။

• အလွန်နည်းသော လေဟာနယ် outgassing; ချောမွေ့သော အတွင်းနံရံသည် ထုတ်ကုန်များ တည်ဆောက်မှုကို လျှော့ချပေးပြီး လုပ်ငန်းစဉ် ထပ်တလဲလဲ လုပ်ဆောင်နိုင်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

• တူညီသောနံရံအထူ၊ မြင့်မားသော coaxiality နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော တံဆိပ်ခတ်ခြင်းအတွက် တိကျသေချာစွာ ပြီးသွားသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။

• စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သောဖွဲ့စည်းပုံများ- ဖြောင့်တန်းပြွန်များ၊ လျော့ချပြွန်များ၊ အနားကွပ်ပြွန်များ၊ တိုးချဲ့ထားသော အရှည်များနှင့် ဒေါင်လိုက် သို့မဟုတ် အလျားလိုက်မီးဖိုများအတွက် အထူးအဆုံးဖွဲ့စည်းပုံများ

2. ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

VeTek quartz မီးဖိုပြွန်များကို အဓိကတုံ့ပြန်မှုအခန်းအဖြစ် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်-

• အပူဓာတ်တိုးမီးဖိုများ (ခြောက်သွေ့/စိုစွတ်သော ဓာတ်တိုးခြင်း)

• dopant နိဒါန်းအတွက် ပျံ့နှံ့နေသော မီးဖိုများ (B, P, As, etc.)

• ပါးလွှာသောဖလင်အစစ်ခံခြင်းအတွက် LPCVD စနစ်များ

• ဖုန်စုပ်စက်နှင့် အခြားသော အပူချိန်မြင့်သော အပူ-ကုသမှု လုပ်ငန်းစဉ်များ

• 4 လက်မ၊ 6 လက်မ၊ 8 လက်မနှင့် 12 လက်မ wafer ပလပ်ဖောင်းများ (Si၊ SiC၊ GaN၊ sapphire substrates) နှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်

၎င်းတို့သည် တည်ငြိမ်သော အပူချိန်တူညီမှု၊ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု ထိန်းချုပ်မှုနှင့် အလွန်သန့်ရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်များ လိုအပ်သည့် ယုတ္တိဗေဒ၊ မှတ်ဉာဏ်၊ ပါဝါစက်ပစ္စည်း၊ MCU၊ LED၊ MEMS နှင့် ကျယ်ပြန့်သော ဘောင်းကွက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးလိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

3. အဓိက နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

• ပစ္စည်း- Semiconductor-grade dehydroxylated fused quartz (SiO₂ ≥ 99.999%)၊ ဟိုက်ဒရောနစ်နည်း၊ သတ္တုအညစ်အကြေးနည်း

• Wafer လိုက်ဖက်မှု- 4/6/8/12 လက်မ

• ရေရှည်အလုပ်လုပ်အပူချိန်- −20°C မှ 1100°C; ရေတို အမြင့်ဆုံး 1200°C အထိ

• လုပ်ငန်းစဉ်- တစ်ပိုင်းတစ်စ အပူဖွဲ့စည်းခြင်း၊ နံရံကို တစ်သားတည်းဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း၊ အဆုံးသတ်ခြင်း၊ ဖိစီးမှုသက်သာစေသော လိမ်းဆေး၊ ဟီလီယမ်ယိုစိမ့်စမ်းသပ်ခြင်း၊ အလွန်သန့်ရှင်းသော သန့်ရှင်းရေး

• ရရှိနိုင်သောဖွဲ့စည်းပုံများ- ဖြောင့်ပြွန်၊ လျှော့နည်းပြွန်၊ အနားကွပ်ပြွန်၊ တိုးချဲ့/စိတ်ကြိုက်-အရှည်ပြွန်၊ အထူး-အဆုံးဖွဲ့စည်းပုံများ

• စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်း- အတွင်း/အပြင် အချင်း၊ အလျား၊ နံရံအထူ၊ အနားကွပ် သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ဝယ်ယူသူပုံများအလိုက် အထူးဂျီသြမေတြီများ

4. အဘယ်ကြောင့် VeTek Quartz Furnace Tubes ကိုရွေးချယ်သနည်း။

Semiconductor Quartz အစိတ်အပိုင်းများကို ပရော်ဖက်ရှင်နယ် ထုတ်လုပ်သူအနေဖြင့် VeTek Semiconductor မှ ကမ်းလှမ်းသည်-

• ဓာတ်တိုးမှု၊ ပျံ့နှံ့မှု၊ LPCVD၊ နှင့် annealing ကိရိယာများအတွက် တီထွင်ထားသော သန့်စင်မြင့် quartz မီးဖိုပြွန်များ

• Class 10 / Class 100 cleanroom production အတွက် သင့်လျော်သော သန့်ရှင်းမှု ထိန်းချုပ်မှု၊ အတိုင်းအတာ တိကျမှုနှင့် သန့်ရှင်းမှု

• ဒေါင်လိုက်နှင့် အလျားလိုက် ပြွန်မီးဖိုများအတွက် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းနှင့် OEM-သဟဇာတရှိသော ဒီဇိုင်းများ

• ဖြည့်စွက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း quartz ထုတ်ကုန်များ wafer လှေများ၊ Crucibles၊ liners နှင့် အခြားသော လုပ်ငန်းစဉ် အစိတ်အပိုင်းများ အပါအဝင်၊

ကျွန်ုပ်တို့၏ quartz မီးဖိုပြွန်များသည် တည်ငြိမ်သော အပူနှင့် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု အခြေအနေများကို ထိန်းသိမ်းရန်၊ အမှုန်အမွှားများနှင့် သတ္တုညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် စဉ်ဆက်မပြတ် အပူချိန်မြင့်သော စက်ဘီးစီးခြင်းအောက်တွင် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးသည်—ပိုမိုမြင့်မားသောအထွက်နှုန်းနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအပူဖြင့် စီမံဆောင်ရွက်ပေးခြင်းတွင် ပိုင်ဆိုင်မှုကုန်ကျစရိတ်သက်သာခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။