Porous Ceramic Vacuum Chuck

Vetek Semiconductor သည် Porous Ceramic Vacuum Chuck ၏ တရုတ်ထုတ်လုပ်သူဖြစ်ပြီး၊ အဆိုပါပစ္စည်းများသည် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ဖုန်စုပ်စုပ်မှုဖြင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာများ သို့မဟုတ် အခြားအလွှာများကို ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းရန် အသုံးပြုပါသည်။ Vetek Semiconducto သည် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှုရှိသော Porous Ceramic Vacuum Chuck ထုတ်ကုန်များကို ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့် ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ကြိုဆိုပါသည်။

Vetek Semiconductor သည် ခေတ်မီတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အလွန်ကောင်းမွန်သော Porous Ceramic Vacuum Chuck ထုတ်ကုန်များကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ဤဝန်ဆောင်မှုပေးသူများသည် သန့်ရှင်းမှု၊ ညီညာမှုနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်နိုင်သော ဓာတ်ငွေ့လမ်းကြောင်းဖွဲ့စည်းမှုတွင် ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသသည်။

မယှဉ်နိုင်သော သန့်ရှင်းမှု:

အညစ်အကြေး ကင်းစင်ခြင်း။: Porous Ceramic Vacuum Chuck တစ်ခုစီကို 1200°C တွင် 1.5 နာရီကြာ သန့်စင်ထားပြီး အညစ်အကြေးများကို လုံးဝဖယ်ရှားပြီး မျက်နှာပြင်သည် အသစ်အတိုင်းသန့်ရှင်းကြောင်း သေချာစေပါသည်။

ဖုန်စုပ်ထုပ်ပိုးခြင်း။: သန့်ရှင်းသောအနေအထားကို ထိန်းသိမ်းရန်၊ Porous Ceramic Vacuum Chuck သည် သိုလှောင်မှုနှင့် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအတွင်း ညစ်ညမ်းမှုကို ကာကွယ်ရန် ဖုန်စုပ်ထုပ်ပိုးထားသည်။

Excellent Flatness:

Solid Wafer စုပ်ယူမှု: Porous Ceramic Vacuum Chuck သည် wafer နေရာမချထားမီနှင့် ပြီးနောက် -60kPa နှင့် -70kPa ၏ စုပ်ယူမှုစွမ်းအားကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး wafer သည် ခိုင်မာစွာ စုပ်ယူနိုင်ပြီး မြန်နှုန်းမြင့် ဂီယာအတွင်း ပြုတ်ကျခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။

တိကျမှုစက်စက်: သယ်ဆောင်သူ၏နောက်ကျောသည် လုံးဝပြားသောမျက်နှာပြင်ကိုသေချာစေရန် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး တည်ငြိမ်သောလေဟာနယ်တံဆိပ်ကိုထိန်းသိမ်းထားကာ ယိုစိမ့်မှုကိုကာကွယ်ပေးသည်။

စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်း:

ဖောက်သည်ဗဟိုပြု: Vetek Semiconductor သည် ထိရောက်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ရန် ၎င်းတို့၏ သီးခြားလုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသည့် ဓာတ်ငွေ့လမ်းကြောင်းဖွဲ့စည်းပုံများကို ဒီဇိုင်းဆွဲရန် သုံးစွဲသူများနှင့် နီးကပ်စွာလုပ်ဆောင်ပါသည်။

တင်းကျပ်သော အရည်အသွေးစစ်ဆေးမှု:

Vetek သည် ၎င်း၏အရည်အသွေးကိုသေချာစေရန် Porous SiC Vacuum Chuck အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီတွင် ပြည့်စုံသောစစ်ဆေးမှုများပြုလုပ်သည်-

ဓာတ်တိုးစမ်းသပ်မှု- အမှန်တကယ် ဓာတ်တိုးခြင်းဖြစ်စဉ်ကို အတုယူရန် အောက်ဆီဂျင်ကင်းစင်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် SiC ဖုန်စုပ်စက်အား 900°C သို့ လျင်မြန်စွာ အပူပေးပါသည်။ ယင်းမတိုင်မီတွင်၊ အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေရန်အတွက် ကယ်ရီယာကို 1100°C တွင် မွှေထားသည်။

သတ္တုဓာတ်ကြွင်းစမ်းသပ်မှု: ညစ်ညမ်းခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်၊ သတ္တုအညစ်အကြေးများ ရွာသွန်းခြင်းရှိမရှိ သိရှိနိုင်ရန် သယ်ဆောင်သူကို မြင့်မားသောအပူချိန် 1200°C တွင် အပူပေးသည်။

ဖုန်စုပ်စမ်း: Porous SiC Vacuum Chuck နှင့် wafer မပါဘဲ ဖိအားကွာခြားချက်ကို တိုင်းတာခြင်းဖြင့်၊ ၎င်း၏ ဖုန်စုပ်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို တင်းတင်းကျပ်ကျပ် စမ်းသပ်ထားသည်။ ဖိအားကွာခြားချက်ကို ±2kPa အတွင်း ထိန်းချုပ်ရပါမည်။

Porous Ceramic Vacuum Chuck Characteristics Table

VeTek Semiconductor Porous SiC Vacuum Chuck ဆိုင်များ-