Glassy Carbon Crucible

1 ။ ရုပ်ဝိသေသလက္ခဏာများ - Grafitized grafitized glassy carbon, စွမ်းဆောင်ရည်အားလုံးသည်ရိုးရာပစ္စည်းများထက်သာလွန်သည်

Veteksemicon ၏ Glassy Carbon Crabon သည်အဆင့်မြင့်မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နည်းပညာကိုကျင့်သုံးပြီးပေါ်လီမာရှေ့ဆက်မွန်ကို 3000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် inert ဓာတ်ငွေ့ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ပြုလုပ်သည်။ ၎င်းတွင်ဖန်ခွက်များနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောကြွေထည်များမြင့်မားခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းတို့ဖြစ်သည်။အဓိကအားသာချက်များပါဝင်သည်:

✔ Ultra- မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်: Maiductor-Arade ပစ္စည်းများလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီသည့်အလူမီနီယမ်နှင့်သံကဲ့သို့သောသတ္တုအညစ်အကြေးများကဲ့သို့သောသတ္တုအညစ်အကြေးများကဲ့သို့) သည် 2ppm ထက်နည်းသည်။

✔ အစွန်းရောက်အပူချိန်ခုခံဖြေ - ၎င်းကိုလေဟာနယ် (သို့) Inert ဓာတ်ငွေ့တွင် 3000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိသုံးနိုင်သည်။

✔ သုဥဆင်ခြင်မှုနှင့် anti- permeabilityဖြေ - ပွင့်လင်းတဲ့အပေါက်တွေမရှိဘူး။ ဓာတ်ငွေ့ permeability cm² / s က10⁻⁹cm² / s ဟာနိမ့်ကျပြီး,

✔ အလွန်အစွမ်းထက်တဲ့လျှပ်စစ်နှင့်အပူစီးကူး: အပူချိန် 65 ·မီတာ 6.3 W / (မိုင်ကာ) - ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော induction အပူလုပ်ငန်းစဉ်အတွက်သင့်တော်သည်။

✔ ဓာတုဓာတ်အားပေးခံမှုခုခံ- ခိုင်မာသောအက်စစ်, အယ်ယယ်လီလီလီလီလီလီလီယံနှင့်အရည်သွန်းလောင်းခြင်းများကိုခံနိုင်ရည်မရှိ,

2 ။ Semiconductor အပြောင်းအလဲနဲ့အတွက် core application တစ်ခု

Veteksemicon ၏ Glassy Carbon Carbon CRUCBON CRUCBONS CRUCBURE ထုတ်ကုန်များသည်အဓိကအားဖြင့် Semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှုတွင်အဓိကချိတ်ဆက်မှုများကိုဖုံးအုပ်ထားသည်။

1) တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်ဆီလီကွန်တိုးတက်မှုနှုန်း:

SIC Crystal Crystal Crystal Crystal Crystal Bood Infactace အတွက်အသုံးပြုသောအူလမ်းကြောင်းကို အသုံးပြု. အပူစက်ရုံတည်ငြိမ်မှုကိုတိုးတက်စေပြီးစွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို 20% လျှော့ချနိုင်သည်။

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးဝိသေသလက္ခဏာများသည်ဆီလီကွန်သည်ညစ်ညမ်းမှုကိုအရည်ပျော်စေခြင်းနှင့်ရာဇမတ်တပ်များပိတ်ဆို့ခြင်းကိုလျှော့ချပါ။

2) ion implantation နှင့် anching လုပ်ငန်းစဉ်:

Plasma etching system အတွက်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့်သဘာဝဓာတ်ငွေ့ပျံ့နှံ့မှုအနေဖြင့်၎င်းသည်ယူနီဖောင်းရောဂါနှင့်လုပ်ငန်းစဉ်ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုကိုသေချာစေသည်။

အီး,

3) သတ္တုနှင့်အလွိုင်း smelting:

ရွှေရောင်, Palladium နှင့် Titanium Alloys များအတွက်စံပြကွန်တိန်နာ, စိုစွတ်စေသောမျက်နှာပြင်သည်ပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။

မြင့်မားသောတက်ကြွသောရှားပါးသတ္တုများ (ဥပမာဂယ်လီယမ်နှင့်အင်ဒီယမ်ကဲ့သို့) သန့်စင်ခြင်းနှင့်ပုံသွင်းရန်သင့်တော်သည်။

အသိပေးချက်ဖြေ - ဖန်ခွက်ကာဗွန် crucbles ကို Chromium-cobalt-molybdenum သတ္တုစပ်များကိုအရည်ပျော်စေရန်အသုံးမပြုပါ။ အလားတူပင်သူတို့သည်ဆီလီကွန်သို့မဟုတ် tungsten ကဲ့သို့သော carbide ကိုအရည်ပျော်စေရန်အသုံးမပြုနိုင်ပါ။

4) အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့်စမ်းသပ်ခြင်း -

Wafer Transfer Transfer (Dummy Wafer) နှင့်အပူရောင်ပြန်ဟပ်မှုသည်အပူချိန်မြင့်မားသောဖြစ်စဉ်များတည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေသည်။

3 ။ လုပ်ငန်းထုတ်လုပ်မှုအစွမ်းသတ္တိ - အကြီးစားကုန်ထုတ်လုပ်မှုနှင့်နည်းပညာဆန်းသစ်တီထွင်မှု

တရုတ်နိုင်ငံ၏ Glass Carbon Carbon Raw ပစ္စည်းများထောက်ပံ့ပေးသောတရုတ်နိုင်ငံ၏ ဦး ဆောင်သူများမှာ Veteksemicon တွင်အောက်ပါအချက်များရှိသည်။

✔ full-process ကိုလွတ်လပ်သောထုတ်လုပ်မှု

ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းပိုလီမာမှမြင့်မားသောအပူချိန် sintering သို့မြင့်မားသော sintering အထိဖြစ်စဉ်တစ်ခုလုံးကိုကိုက်ညီမှုရှိစေရန်အတွက်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးကိုထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည်5μm-Level Ultra-Phints (အနှစ် 132 မီလီမီတာ, အမြင့် 273 မီလီမီတာအသေးစိတ်အချက်အလက်များ) တွင်5μm-ultra-plt ကိုဖုံးလွှမ်းထားသည်။

✔ စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်းစွမ်းရည်

± 0.2 မီလီမီတာကိုသည်းခံနိုင်သည့်တိကျမှုနှင့်အတူ (ဥပမာအထူးပုံသဏ် s ာန်များ, ပြွန်များ,

✔ နည်းပညာ R & D သိုက်များ

Nano Glassy Carbon (3GPA) ကိုတီထွင်ရန်တရုတ်သိပ္ပံအကယ်ဒမီကျောင်းသိပ္ပံအကယ်ဒမီ (3GPA) ကိုတီထွင်ရန်သိပ္ပံအကယ်ဒမီကျောင်းအကယ်ဒမီနှင့်ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ရန်နှင့်အသေးစား Semiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများကိုတိုးချဲ့ရန်နှင့်ချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့်တိုးချဲ့ရန်။

လောင်စာဆဲလ်စိတ်ကြွဆေးများနှင့်လေကြောင်းနယ်နိမိတ်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကိုမြှင့်တင်ရန်အတွက်လောင်စာဆဲလ်များနှင့်လေကြောင်းထုတ်ဖော်ပြောဆိုခြင်းကဲ့သို့သောထွန်းသစ်စလယ်ကွင်းများကိုထုတ်ဖော်ပြောကြားသည်။