CVD TaC Coated Susceptor

ထုတ်ကုန်အဓိပ္ပါယ်နှင့်ဖွဲ့စည်းမှု

VETEK CVD TaC Coated Susceptor သည် တတိယမျိုးဆက် semiconductor (SiC, GaN, AlN) epitaxial processing အတွက် အထူးသုံးသည့် အဆင့်မြင့် wafer carrier အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤထုတ်ကုန်သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းနှစ်ခု၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အားသာချက်များကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။

High-Purity Graphite Substrate: အလွှာသည် သာလွန်သောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှု၊ သိပ်သည်းဆ မြင့်မားမှုနှင့် အပူအအေးလုပ်ဆောင်မှု တည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပိုင်ဆိုင်ကြောင်းသေချာစေရန် isostatic နှိပ်ပုံသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုသည်။

CVD TaC အပေါ်ယံပိုင်း- သိပ်သည်းပြီး ဖိစီးမှုကင်းတဲ့ Tantalum Carbide (TaC) အကာအကွယ်အလွှာကို အဆင့်မြင့် Chemical Vapor Deposition (CVD) နည်းပညာဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးထားသည်။

ပင်မနည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များ- သာလွန်လွန်ကဲသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် လိုက်လျောညီထွေရှိမှု

MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အကာအကွယ်အလွှာတစ်ခုသာမက လုပ်ငန်းစဉ် ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် အဓိကအချက်ဖြစ်သည်။

အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း။: TaC သည် 3880°C အထိ မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်ရှိပြီး 1600°C အထက် အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်ပင် ပုံသဏ္ဍာန်တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။

အလွန်ကောင်းမွန်သော Corrosion ခုခံမှု− NH₃(Ammonia) သို့မဟုတ် H₂(Hydrogen) ပါဝင်သော အားကောင်းသော လျှော့ချပတ်ဝန်းကျင်တွင်၊ TaC ၏ ချေးနှုန်းသည် အလွန်နိမ့်ကျပြီး အလွှာဆုံးရှုံးမှုနှင့် ညစ်ညမ်းမိုးရွာခြင်းကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်ပေးပါသည်။

အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုအာမခံအပေါ်ယံ သန့်စင်မှု 99.9995% အထိ မြင့်မားသည်။ ၎င်း၏သိပ်သည်းသောဖွဲ့စည်းပုံသည် graphite micropores များကို လုံး၀ပိတ်စေပြီး epitaxial ဖလင်သည် အလွန်အမင်းညစ်ညမ်းမှုအဆင့်သို့ရောက်ရှိကြောင်းသေချာစေသည်။

တိကျသော အပူဓာတ် ဖြန့်ကျက်မှု: VETEK ၏ အကောင်းဆုံးသော အလွှာထိန်းချုပ်မှုနည်းပညာသည် susceptor ၏ မျက်နှာပြင်အပူချိန် ကွာခြားချက်ကို ±2°C အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားပြီး wafer epitaxial အလွှာ၏ အထူနှင့် လှိုင်းအလျားကို သိသိသာသာ ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

အဏုကြည့်ပိုင်းဖြတ်ပိုင်းပေါ်တွင် Tantalum carbide (TaC) coating

Core Application Fields

SiC (Silicon Carbide) Epitaxial ကြီးထွားမှု: 6 လက်မ၊ 8 လက်မ နှင့် ပိုကြီးသော SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

GaN (Gallium Nitride) အခြေခံ ကိရိယာများ: MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တောက်ပသော LED များ၊ HEMT ပါဝါကိရိယာများနှင့် RF ချစ်ပ်များအတွက် အသုံးပြုသည်။

AlN (Aluminum Nitride) နှင့် UVC ကြီးထွားမှု: Deep UV LEDs များကဲ့သို့ အလွန်ကျယ်ပြန့်သော ကျယ်ဝန်းသော bandgap ပစ္စည်းများအတွက် အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန် (1400°C+) ကယ်ရီယာဖြေရှင်းချက် ပေးပါသည်။

စိတ်ကြိုက်သုတေသနပံ့ပိုးမှု: အမျိုးမျိုးသော မမှန်သော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် အပေါက်အစုံရှိသော ဒစ်ခ်များအတွက် သုတေသနအင်စတီကျုများ၏ တိကျသော စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှု လိုအပ်ချက်များကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသည်။

လိုက်ဖက်သော မော်ဒယ်များနှင့် စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများ

VETEK သည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပင်မ MOCVD စက်ကိရိယာများနှင့် လိုက်လျောညီထွေစွာ လိုက်လျောညီထွေရှိသော တိကျသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပြုပြင်ခြင်းနှင့် အပေါ်ယံပိုင်း စွမ်းရည်များ ပိုင်ဆိုင်သည်-

AIXTRON: အမျိုးမျိုးသော ဂြိုဟ်လည်ပတ်မှုဒစ်များနှင့် အခြေစိုက်စခန်းများကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

Veeco- K465i၊ Propel နှင့် အခြားဒေါင်လိုက် susceptor စီးရီးများကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

AMEC နှင့် အခြားအရာများ: အပြည့်အဝ တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သော အစားထိုးအစိတ်အပိုင်းများ သို့မဟုတ် အဆင့်မြှင့်ဖြေရှင်းချက်များအား ပံ့ပိုးပေးပါသည်။