SIC coated wafer လေယာဉ်တင်သင်္ဘော

Chip ထုတ်လုပ်မှုသည် wafers နှင့်ခွဲလို့မရပါ။ wafer ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ တစ်ခုသည်အလွှာ၏ပြင်ဆင်မှုဖြစ်ပြီးနောက်တစ်ခုသည် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကိုအကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် တိုက်ရိုက်ထည့်သွင်းနိုင်ပြီး၊ သို့မဟုတ် ပိုမိုအဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းမှတဆင့်၊epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်. 

Egitaxy သည်သာမာန်ကိုရိုက်နှက်ခြင်း, ဖြတ်တောက်ခြင်း, ကြိတ်ခြင်း, polsuling, polsuling စသည်) တစ်ခုတည်းသော Crystal အလွှာတစ်ခုတွင်တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်သောအလွှာအသစ်တစ်ခုကိုစိုက်ပျိုးရန်ဖြစ်သည်။ အသစ်စက်စက်စိုက်ပျိုးနိုင်သော Single Crystal အလွှာသည်အလွှာ၏ Crystal Phase အရတိုးချဲ့သွားသောကြောင့်၎င်းကို Estitaxial Layer ဟုခေါ်သည်။ Estitaxial အလွှာသည်အလွှာအပေါ်ပေါက်သောအခါတစ်ခုလုံးကို EpitAXAXIAL WAFER ဟုခေါ်သည်။ epitaxial နည်းပညာကိုမိတ်ဆက်ပေးခြင်းသည်တစ်ခုတည်းသောအလွှာများ၏ချို့ယွင်းချက်များကိုဖြေရှင်းသည်။

အဆိုပါ epitaxial တိုးတက်မှုမီးဖို၌, အလွှာကိုကျပန်းနေရာ ချ. မရပါwafer သယ်ဆောင်substrate ပေါ်တွင် epitaxial အစစ်ခံခြင်းကိုမလုပ်ဆောင်မီ wafer ကိုင်ဆောင်ထားသောအလွှာပေါ်တွင် substrate ကိုထားရန်လိုအပ်သည်။ ဤ wafer ကိုင်ဆောင်သူသည် SiC coated wafer carrier ဖြစ်သည်။

EPI ဓာတ်ပေါင်းဖို၏ အပိုင်းပိုင်း မြင်ကွင်း

အရည်အသွေးမြင့်သည်။SIC အဖုံးCVD နည်းပညာကိုသုံးပြီး SGL Graphite ၏မျက်နှာပြင်တွင်အသုံးပြုသည်။

SIC အဖုံး ၏အကူအညီဖြင့်, များစွာသောဂုဏ်သတ္တိများSIC coated wafer ကိုင်ဆောင်သူသိသိသာသာတိုးတက်လာပြီ:

●  Antioxidant ဂုဏ်သတ္တိများ: SIC အဖုံး သည် ဓာတ်တိုးမှုကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် oxidation မှ graphite matrix ကို ကာကွယ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။

●မြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံ: SIC အဖုံး ၏ အရည်ပျော်မှတ်သည် အလွန်မြင့်မားသည် (2700°C ခန့်)။ graphite matrix တွင် SiC coating ကို ပေါင်းထည့်ပြီးနောက်၊ ၎င်းသည် epitaxial growth furnace ဝန်းကျင်တွင် အသုံးချရန်အတွက် အကျိုးပြုသည့် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိနိုင်သည်။

●တိုက်စားရန်: Graphite သည် အချို့သော အက်ဆစ် သို့မဟုတ် အယ်ကာလိုင်းပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ဓာတုသံချေးတက်နိုင်ခြေရှိပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် အက်ဆစ်နှင့် အယ်လ်ကာလီချေးများကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းကို epitaxial ကြီးထွားမှုမီးဖိုများတွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာအသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

● ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။: SiC ပစ္စည်းသည် မြင့်မားသော မာကျောမှုရှိသည်။ ဂရပ်ဖိုက်ကို SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီးနောက်၊ ၎င်းကို epitaxial ကြီးထွားမှု မီးဖိုတွင် အသုံးပြုသောအခါတွင် ၎င်းကို အလွယ်တကူ ပျက်စီးစေပြီး ပစ္စည်းဝတ်ဆင်မှုနှုန်းကို လျှော့ချပေးသည်။

Vetek Semiconductor သည်ဖောက်သည်များအားစက်မှုလုပ်ငန်း ဦး စီး 0 င်သောကစားသမားများထုတ်ကုန်များဖြင့်အကောင်းဆုံးပစ္စည်းများနှင့်အဆင့်မြင့်ပြုပြင်ထုတ်လုပ်သည့်နည်းပညာကိုအသုံးပြုသည်။ Vetek Semiconductor ၏ခိုင်မာသည့်နည်းပညာဆိုင်ရာအဖွဲ့ကအသင့်တော်ဆုံးထုတ်ကုန်များနှင့်ဖောက်သည်များအတွက်အကောင်းဆုံးစနစ်ဖြေရှင်းနည်းများကိုအံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေရန်အမြဲတမ်းကတိကဝတ်ပြုထားသည်။

CVD SIC ရုပ်ရှင်၏ SEM အချက်အလက်များ

က semiconductorSIC coated wafer carrier shops