စက်မှုသတင်း

CIC နှင့် Aln တစ်ခုတည်း crystals များကြီးထွားလာခြင်း (PVT) နည်းလမ်းကို အသုံးပြု. Crucible, မျိုးစေ့ကိုင်ဆောင်သူကဲ့သို့သောအရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့်လမ်းညွှန်လက်စွပ်ကဲ့သို့သောအရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့်လမ်းညွှန်လက်စွပ်သည်အရေးပါသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ ပုံ 2 (1) တွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း pvt လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းမျိုးစေ့ပြတ်တောက်မှုတွင် crystal သည်အောက်ပိုင်းအပူချိန်ဒေသတွင်နေရာချထားသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗွန်အလွှာများသည်ချို့ယွင်းချက်များစွာရှိပြီးတိုက်ရိုက်လုပ်ဆောင်ခြင်းမပြုနိုင်ပါ။ chitaxial product မှ chitaxial လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် clitxAxial လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် clitstal phat ရုပ်ရှင်ကိုသူတို့အပေါ်တွင်စိုက်ပျိုးရန်လိုအပ်သည်။ ဒီပါးလွှာသောရုပ်ရှင်သည် epitaxial အလွှာဖြစ်သည်။ Silicon Carbide ကိရိယာများအားလုံးနီးပါးသည် epitaxial ပစ္စည်းများတွင်သဘောပေါက်သည်။ အရည်အသွေးမြင့် silicon carbide တစ်သားတည်းဖြစ်တည်ခြင်း Estageneous Earitaxial ပစ္စည်းများသည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာအိတ်များ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်အခြေခံဖြစ်သည်။ Estitaxial ပစ္စည်းများ၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်စ်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုက်ရိုက်အကောင်အထည်ဖော်သည်ကိုတိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်သည်။

Silicon Carbide သည် Semiconductor စက်မှုလုပ်ငန်းကိုစွမ်းအင်နှင့်အပူချိန်မြင့်မားသော application များနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသော application များနှင့်ပြည့်စုံသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ပြည့်စုံသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ပြည့်စုံသောဂုဏ်သတ္တိများများနှင့်ပြည့်စုံသောပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့်ပြည့်စုံသောနေရာများရှိသည်။

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု - ဓာတုအငွေ့အငှား (CVD) ဖြင့်စိုက်ပျိုးသောဆီလီကွန် Eplitaxial အလွှာသည်အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု,

အစိုင်အခဲ silicon carbide (SIC) သည်ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင်အဓိကအကြောင်းအရာများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ အောက်ဖော်ပြပါအချက်များသည်၎င်း၏အားသာချက်များနှင့်လက်တွေ့ကျသောတန်ဖိုးများကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် Semiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများ, ရေချိုးခန်းခေါင်းများ,