သတင်း

Egitaxy နှင့် Atomic Layer Stosition (ALD) အကြားအဓိကကွာခြားချက် (ALD) သည်သူတို့၏ရုပ်ရှင်ကြီးထွားမှုယန္တရားများနှင့်လည်ပတ်မှုအခြေအနေများတွင်တည်ရှိသည်။ Egitaxy သည်တူညီသောသို့မဟုတ်အလားတူကြည်လင်သောပုံသဏ္ဌာန်ရှိသည့်ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင်ပုံဆောင်ခဲသောအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင်ပုံဆောင်ခဲပြောင်ပြောင်ပြောင်ပြောင်တင်းတင်းရှာဖွေခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုရည်ညွှန်းသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေဖြင့် Ald သည်အစုတခုနှင့်အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီးတစ်ချိန်တည်းတွင်အက်တမ်အလွှာတစ်ခုဖြစ်သောအဏုမြူအလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်အတွက်မတူညီသောဓာတုဗေဒဆိုင်ရာကြိုတင်ပြင်ဆင်မှုများကိုဖော်ထုတ်ခြင်းပါဝင်သည်။

CVD TAC Coating သည်အလွှာတစ်ခု (ပုန်းအောင်း) တွင်သိပ်သည်းသောကြာရှည်ခံသည့်အဖုံးကိုဖွဲ့စည်းရန်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် TAC ကိုအပူချိန်မြင့်မားသောမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိအလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်သို့အပ်နှံခြင်း,

8 လက်မ Silicon Carbide (SIC) လုပ်ငန်းစဉ်ရင့်ကျက်သောအနေဖြင့်ထုတ်လုပ်သူများသည် 6 လက်မမှ 8 လက်မမှ 8 လက်မမှပြောင်းကုန်ပြီဖြစ်သည်။ မကြာသေးမီက Semiconductor နှင့် Resonac တွင် 8 လက်မ SIC ထုတ်လုပ်မှုတွင်နောက်ဆုံးသတင်းများကိုကြေငြာခဲ့သည်။

ဤဆောင်းပါးသည် 200 မီလီမီတာ SIC တွင်ယူနီဖောင်း 4H-Sic Explex Explipe လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကိုဤဆောင်းပါးသည်အသစ်သောဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော PE1O8 Hot-Wall CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို၏နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။