4 ° p-type sic wafer

တရုတ်နိုင်ငံရှိပရော်ဖက်ရှင်နယ် semiconductor ထုတ်လုပ်သူအဖြစ်, Vetek ဆီမီးကော်ဒေး 4 ဒီဂရီဝက်ရိုး P-type ကိုချွတ်SiC Wafer4H ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) wafer များကို ဖြတ်တောက်ပြီး P-type doping လုပ်သောအခါတွင် crystal ၏ အဓိက crystal direction (များသောအားဖြင့် c-axis) မှ 4° လွဲသွားသော wafer များကို ရည်ညွှန်းသည်။ ဤထုတ်ကုန်ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်ရှိ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများနှင့် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း (RF) ကိရိယာများထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော ထုတ်ကုန်အားသာချက်များရှိသည်။

Off-Axis ဖြတ်တောက်ခြင်းဖြင့် Vetek Semiconductor ၏ 4 °မှ 0 တ် 0 p-type sic wafer မှ 0 င်ရောက်ခြင်းနှင့်ချို့ယွင်းချက်များကိုထိထိရောက်ရောက်လျှော့ချနိုင်သည်။ ထို့အပြင် 4 ဒီဂရီ 0 င်ရိုးမှ 0 င်ရိုး orientation သည်ပိုမိုသောယူနီဖောင်းနှင့်အခမဲ့ epitaxial layer ကိုကြီးထွားစေရန်အထောက်အကူပြုသည်။

ထို့အပြင်၊ VeTek Semiconductor ၏ 4° off ဝင်ရိုး p-type SiC Wafer ထုတ်ကုန်များသည် wafer တွင် အပေါက်များပိုမိုရှိစေပြီး P-type semiconductor (ဥပမာ- အလူမီနီယမ် သို့မဟုတ် ဘိုရွန်ကဲ့သို့) အညစ်အကြေးများကို သောက်သုံးခြင်းဖြင့် P-type semiconductor အဖြစ်ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ P-type 4H-SiC wafers များကို P-type အလွှာလိုအပ်သော ပါဝါစက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရာတွင် မကြာခဏအသုံးပြုကြသည်။ ဤ semiconductor အမျိုးအစားသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။

ထိုကဲ့သို့သော 6h-sic အဖြစ်အခြား polymorphs နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက,4H-SiCပိုမိုမြင့်မားသောအီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုနှင့်ပြည့်လျှာလျှပ်စစ်ကွင်းဆင်းစွမ်းအားမြင့်မားပြီးမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့်မြင့်မားသောအခြေအနေများအတွက်သင့်တော်သည်။ ထို့အပြင် 4H-SIC ပစ္စည်းများသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောဗို့အားနှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းရှိပြီးပုံမှန်အားဖြင့်ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပုံမှန်အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။

2inch 4inch 4 °မှ 0 င်ရိုး P-type Sic Wafer အရွယ်အစား -telt-Related စံနှုန်းများ：

6 လက်မ 4° off ဝင်ရိုး p-type SiC Wafer အရွယ်အစားဆိုင်ရာ စံနှုန်းများ：

4° off ဝင်ရိုး p-type SiC Wafer Detection နည်းလမ်းများနှင့် အသုံးအနှုန်းများ：

Vetek Semiconductor တွင် 4 °မှ 0 င်ရိုး P-type 4H-Sic အလွှာများနှင့်အတူ 4 °မှ 4 on roma p-tice sic အလွှာများရှိသည်.အလွှာကို အလူမီနီယမ်ဖြင့် သုတ်ထားပြီး အပြာရောင် ပေါ်လာသည်။ ခံနိုင်ရည်သည် 0.1 မှ 0.7Ω•cm တွင်ရှိသည်။. 

အကယ်. သင့်တွင် 4 °မှ 0 င်ရိုး P-type Sic Wafer မှ 4 °မှ 4 ဒီဂရီအထိရှိလျှင်, ကျွန်ုပ်တို့နှင့်တိုင်ပင်ဆွေးနွေးရန်ကြိုဆိုပါ၏။