ဆီလီကွန်ကာဗိုက် Epitaxy

အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxy ၏ပြင်ဆင်မှုသည် အဆင့်မြင့်နည်းပညာနှင့် စက်ကိရိယာများနှင့် ဆက်စပ်ပစ္စည်းများအပေါ် မူတည်ပါသည်။ လက်ရှိတွင် အသုံးအများဆုံး silicon carbide epitaxy ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းမှာ Chemical vapor deposition (CVD) ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် epitaxial ဖလင်အထူနှင့် မူးယစ်ဆေးဝါးသုံးစွဲမှုအား တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်ခြင်း၏ အားသာချက်များ၊ ချို့ယွင်းချက်နည်းပါးသော၊ အလယ်အလတ်ကြီးထွားနှုန်း၊ အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်မှုထိန်းချုပ်မှုစသည်ဖြင့် အားသာချက်များရှိပြီး စီးပွားဖြစ်အောင်မြင်စွာအသုံးချနိုင်သည့် ယုံကြည်စိတ်ချရသောနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် CVD epitaxy သည် ယေဘူယျအားဖြင့် ပူသောနံရံ သို့မဟုတ် နွေးထွေးသောနံရံ CVD ကိရိယာကို လက်ခံသည်၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသောကြီးထွားမှုအပူချိန်အခြေအနေများ (1500 ~ 1700 ℃) အောက်တွင် epitaxy အလွှာ 4H ပုံဆောင်ခဲ SiC ၏ဆက်လက်တည်ရှိမှုကိုသေချာစေသည်၊ အဝင်လေကြောင်းစီးဆင်းမှု ဦးတည်ချက်နှင့် အလွှာမျက်နှာပြင်ကြား ဆက်ဆံရေး၊ ဓာတ်ပြုခန်းကို အလျားလိုက်ဖွဲ့စည်းပုံ ဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် ဒေါင်လိုက်ဖွဲ့စည်းပုံ ဓာတ်ပေါင်းဖိုဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။

SIC epitaxial furnace ၏ အရည်အသွေးအတွက် အဓိက ညွှန်ကိန်း သုံးခုရှိပြီး ပထမမှာ အထူတူညီမှု၊ သုံးစွဲမှု တူညီမှု၊ ချွတ်ယွင်းမှုနှုန်းနှင့် ကြီးထွားမှုနှုန်းတို့ အပါအဝင် epitaxial ကြီးထွားမှု စွမ်းဆောင်ရည်၊ ဒုတိယမှာ အပူ/အအေးနှုန်း၊ အမြင့်ဆုံးအပူချိန်၊ အပူချိန်တူညီမှု အပါအဝင် စက်ပစ္စည်းများ၏ အပူချိန်စွမ်းဆောင်ရည်၊ နောက်ဆုံးတွင်၊ တစ်ခုတည်းယူနစ်တစ်ခု၏စျေးနှုန်းနှင့်စွမ်းရည်အပါအဝင်ပစ္စည်းကိရိယာများ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကုန်ကျစရိတ်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial ကြီးထွားမှုမီးဖိုနှင့် အူတိုင်ဆက်စပ်ပစ္စည်းများ ကွဲပြားမှုသုံးမျိုး

အပူပိုင်းနံရံ အလျားလိုက် CVD (LPE ကုမ္ပဏီ၏ ပုံမှန်မော်ဒယ် PE1O6)၊ နွေးထွေးသော နံရံဂြိုဟ် CVD (ပုံမှန် မော်ဒယ် Aixtron G5WWC/G10) နှင့် အပူပိုင်းနံရံ CVD (Nuflare ကုမ္ပဏီ၏ EPIREVOS6 မှ ကိုယ်စားပြု) တို့သည် ပင်မလျှပ်စီးကြောင်း epitaxial စက်ကိရိယာ နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖြေရှင်းချက်ဖြစ်ကြောင်း သဘောပေါက်ခဲ့ကြပါသည်။ ဤအဆင့်တွင် စီးပွားရေးဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများ။ နည်းပညာဆိုင်ရာ စက်သုံးမျိုးတွင် ၎င်းတို့၏ ကိုယ်ပိုင်လက္ခဏာများ ရှိပြီး ဝယ်လိုအားအရ ရွေးချယ်နိုင်သည်။ ၎င်းတို့၏ဖွဲ့စည်းပုံမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

သက်ဆိုင်ရာ core အစိတ်အပိုင်းများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည် ။

(က) Hot wall horizontal type core part- Halfmoon Parts များ ပါဝင်ပါသည်။

ရေစုန်လျှပ်ကာ

Main insulation အပေါ်ပိုင်း

လဝက်အထက်

ရေဆန်လျှပ်ကာ

အကူးအပြောင်းအပိုင်း ၂

အကူးအပြောင်းအပိုင်း ၁

ပြင်ပလေဝင်ပေါက်

အချွန်အတက်ဖြင့် snorkel

ပြင်ပ အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့ နော်ဇယ်

အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့ နော်ဇယ်

Wafer အထောက်အပံ့ပန်းကန်

ဗဟိုတံ

ဗဟိုကိုယ်ရံတော်

ရေစုန်ဝဲ အကာအကွယ်အဖုံး

ရေအောက် ညာဘက် အကာအကွယ် အဖုံး

အထက်ပိုင်း ဘယ်ဘက်အကာအကွယ်အဖုံး

ရေဆန်ညာဘက်အကာအကွယ်အဖုံး

နံရံ

ဖိုက်တာလက်စွပ်

အကာအကွယ်ပေးသလို ခံစားရတယ်။

ပံ့ပိုးပေးသလို ခံစားရတယ်။

ဆက်သွယ်ရန်ပိတ်ဆို့

ဓာတ်ငွေ့ထွက်ပေါက်ဆလင်ဒါ

(ခ) နွေးထွေးသော နံရံဂြိုဟ်အမျိုးအစား

SiC coating Planetary Disk & TaC coated Planetary Disk

(ဂ) အပူခံနံရံတစ်ပိုင်း မတ်တပ်ရပ် အမျိုးအစား

Nuflare (ဂျပန်) - ဤကုမ္ပဏီသည် ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းတိုးစေရန် ပံ့ပိုးပေးသည့် အခန်းနှစ်ခန်း ဒေါင်လိုက်မီးဖိုများကို ပေးဆောင်ပါသည်။ အဆိုပါကိရိယာတွင် တစ်မိနစ်လျှင် လှည့်ပတ် 1000 အထိ မြန်နှုန်းမြင့် လည်ပတ်မှု ပါ၀င်ပြီး ၎င်းသည် epitaxial တူညီမှုအတွက် အလွန်အကျိုးရှိသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်း၏လေ၀င်လေထွက်ဦးတည်ချက်သည် ဒေါင်လိုက်အောက်ဘက်ရှိ အခြားစက်ပစ္စည်းများနှင့် ကွဲပြားသဖြင့် အမှုန်များ၏မျိုးဆက်ကို လျော့နည်းစေပြီး wafers ပေါ်သို့ အမှုန်အမွှားများကျရောက်နိုင်ခြေကို လျှော့ချပေးသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဤစက်ပစ္စည်းအတွက် အဓိက SiC coated ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

SiC epitaxy စက်ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများကို ပေးသွင်းသူအနေဖြင့်၊ VeTek Semiconductor သည် သုံးစွဲသူများအား SiC epitaxy ၏ အောင်မြင်စွာအကောင်အထည်ဖော်မှုကို ပံ့ပိုးရန်အတွက် အရည်အသွေးမြင့် coating အစိတ်အပိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ရန် ကတိပြုပါသည်။