ထုတ်ကုန်များ
ထုတ်ကုန်များ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ

VeTek Semiconductor သည် အလွန်သန့်စင်သော Silicon Carbide Coating ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် အထူးပြုထားပြီး၊ အဆိုပါ အပေါ်ယံလွှာများကို သန့်စင်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် သတ္တုဓာတ်သတ္တုအစိတ်အပိုင်းများတွင် အသုံးပြုရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။


ကျွန်ုပ်တို့၏ မြင့်မားသော သန့်စင်သောအပေါ်ယံလွှာများကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနှင့် အီလက်ထရွန်နစ်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အဓိက ပစ်မှတ်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် MOCVD နှင့် EPI ကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ကြုံတွေ့ရသည့် အဆိပ်သင့်ပြီး ဓာတ်ပြုနိုင်သော ပတ်ဝန်းကျင်များမှ ကာကွယ်ပေးသည့် wafer carriers၊ susceptors နှင့် အပူဒြပ်စင်များအတွက် အကာအကွယ်အလွှာအဖြစ် ဆောင်ရွက်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်များသည် wafer လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ အပေါ်ယံလွှာများသည် လေဟာနယ်၊ ဓာတ်ပြုမှုနှင့် အောက်ဆီဂျင် မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်များကို ကြုံတွေ့နေရသည့် လေဟာနယ်မီးဖိုများနှင့် နမူနာအပူပေးခြင်းများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ကောင်းမွန်သင့်လျော်ပါသည်။


VeTek Semiconductor တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏အဆင့်မြင့်စက်အရောင်းဆိုင်စွမ်းရည်များဖြင့် ပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ၎င်းသည် ကျွန်ုပ်တို့အား ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များ သို့မဟုတ် ရုန်းအားသတ္တုများကို အသုံးပြု၍ အခြေခံအစိတ်အပိုင်းများကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး SiC သို့မဟုတ် TaC ကြွေထည်များကို အိမ်အတွင်းတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ မတူကွဲပြားသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် လိုက်လျောညီထွေရှိစေရန် ဖောက်သည်ပေးသောအစိတ်အပိုင်းများအတွက် coating ဝန်ဆောင်မှုများကိုလည်းပေးပါသည်။


ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon Carbide Coating ထုတ်ကုန်များကို Si epitaxy၊ SiC epitaxy၊ MOCVD စနစ်၊ RTP/RTA လုပ်ငန်းစဉ်၊ etching လုပ်ငန်းစဉ်၊ ICP/PSS etching လုပ်ငန်းစဉ်၊ အပြာရောင်နှင့် အစိမ်းရောင် LED၊ UV LED နှင့် deep-UV အပါအဝင် LED အမျိုးအစားအမျိုးမျိုး၏ လုပ်ငန်းစဉ်များ LED စသည်တို့ကို LPE၊ Aixtron၊ Veeco၊ Nuflare၊ TEL၊ ASM၊ Annealsys၊ TSI စသည်ဖြင့် စက်ပစ္စည်းများနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသည်။


ကျွန်ုပ်တို့ လုပ်ဆောင်နိုင်သော ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများ


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Silicon Carbide Coating များစွာသော ထူးခြားသော အားသာချက်များ

Silicon Carbide Coating several unique advantages



VeTek Semiconductor Silicon Carbide Coating Parameter

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
ပစ္စည်းဥစ္စာ ရိုးရိုးတန်ဖိုး
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ FCC beta အဆင့် polycrystalline, အဓိကအားဖြင့် (111) oriented
SiC coating Density 3.21 g/cm³
SiC coating Hardness Vickers မာကျောမှု 2500 (500 ဂရမ်ဝန်)
သီးနှံ SiZe 2~10μm
ဓာတုသန့်စင်မှု 99.99995%
အပူစွမ်းရည် 640 J·kgစာ-၁·Kစာ-၁
Sublimation အပူချိန် 2700 ℃
Flexural Strength 415 MPa RT 4 ပွိုင့်
Young's Modulus 430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း 300W·mစာ-၁·Kစာ-၁
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE) 4.5×10-6Kစာ-၁

CVD SIC ရုပ်ရှင်အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



View as  
 
EPI Receiver မှာဆိုရင်တော့

EPI Receiver မှာဆိုရင်တော့

China Top Factory-Vetek Semiconductor သည်တိကျသောစက်နှင့် Semiconductor Sic နှင့် TAC အပေါ်ယံပိုင်းစွမ်းရည်ကိုပေါင်းစပ်ထားသည်။ စည်အမျိုးအစား SI EPI SUNPIAL သည်အပူချိန်နှင့်လေထုထိန်းချုပ်မှုစွမ်းရည်များကိုပေးသည်,
ထို့ကြောင့် coated EPI ကျူရှင်

ထို့ကြောင့် coated EPI ကျူရှင်

Silicon Carbide နှင့် Tantalum carbide တို့တွင်ထိပ်တန်းပြည်တွင်းထုတ်လုပ်သူအဖြစ် Vetek Semiconductor သည် SIC coated Epi Susceptor ၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုနှင့်ယူနီဖောင်းများကိုတိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး 5ppm အောက်ရှိ COC coated Epi Susceptor ၏တိကျသောစက်နှင့်ယူနီဖောင်းများကိုထိထိရောက်ရောက်ထိန်းချုပ်နိုင်ခဲ့သည်။ ထုတ်ကုန်ဘဝ SGL ၏နှိုင်းယှဉ်ဖြစ်ပါတယ်။ ကျွန်တော်တို့ကိုမေးမြန်းဖို့ကြိုဆိုပါတယ်။
Epi ထောက်ခံသူသတ်မှတ်ထားလျှင် LPE

Epi ထောက်ခံသူသတ်မှတ်ထားလျှင် LPE

Flat susceptor နှင့် barrel susceptor များသည် epi susceptors များ၏ အဓိကပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်သည်။VeTek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံတွင် ထိပ်တန်း LPE Si Epi Susceptor Set ထုတ်လုပ်သူနှင့် တီထွင်သူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် SiC coating နှင့် TaC coating တွင် အထူးပြုလုပ်ဆောင်ခဲ့သည်မှာ နှစ်ပေါင်းများစွာကြာပါပြီ။ ကျွန်ုပ်တို့သည် LPE Si Epi Susceptor ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ LPE PE2061S 4" wafers များအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အစုံ။ ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်း၏ ဒီဂရီနှင့် ကိုက်ညီသော၊ SiC coating သည် ကောင်းမွန်သည်၊ တူညီမှုကောင်းသည်၊ နှင့် အသက်သည် တာရှည်သည်၊ LPE (Liquid Phase Epitaxy) လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း epitaxial အလွှာကြီးထွားမှုကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။ တရုတ်နိုင်ငံရှိ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသို့ လာရောက်လည်ပတ်ရန် သင့်အား ကြိုဆိုပါသည်။
Aixtron G5 MOCVD SUPREAPORESS

Aixtron G5 MOCVD SUPREAPORESS

Aixtron G5 MOCVD စနစ်တွင်ဂဖစ်ရုပ်ပစ္စည်းပါဝင်သည်။ Semiconductor Captite နှင့် Quartz အစိတ်အပိုင်းများတွင်နှစ်ပေါင်းများစွာအထူးပြုလုပ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုအတွက်ပိုမိုကောင်းမွန်သောအရွယ်အစား,
EPI အတွက် SiC Coated Graphite Barrel Susceptor

EPI အတွက် SiC Coated Graphite Barrel Susceptor

စည်အမျိုးအစား Epitagaxial Wafer Hepining Case သည်ရှုပ်ထွေးသောပြုပြင်ထုတ်လုပ်သည့်နည်းပညာဖြင့်ထုတ်ကုန်ဖြစ်ပြီးပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်စွမ်းရည်ကိုစက်ကိရိယာများနှင့်စွမ်းရည်ကိုအလွန်ခက်ခဲသည်။ Vetek Semiconductor သည် EPI အတွက် EPI အတွက် sic coatite barrel sulect depor ကိုပြုပြင်ခြင်းတွင်အဆင့်မြင့်သောပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်ကြွယ်ဝသောအတွေ့အကြုံများရှိပြီး, EPI ၏မူလစက်ရုံဘ 0,
SiC Coated Graphite Crucible Deflector

SiC Coated Graphite Crucible Deflector

SiC coated graphite crucible deflector သည် တစ်ခုတည်းသော crystal furnace equipment တွင် အဓိက အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်း၏တာဝန်မှာ crucible မှ သွန်းသောပစ္စည်းကို crystal growth zone သို့ ချောမွေ့စွာ လမ်းညွှန်ရန်နှင့် single crystal growth ၏ အရည်အသွေးနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်ကို သေချာစေရန်ဖြစ်သည်။Vetek semiconductor လုပ်နိုင်သည် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် SiC အပေါ်ယံပစ္စည်းနှစ်မျိုးလုံးကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အသေးစိတ်အချက်အလက်များအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် ကြိုဆိုပါသည်။
တရုတ်နိုင်ငံရှိပရော်ဖက်ရှင်နယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ ထုတ်လုပ်သူနှင့်ကုန်ပစ္စည်းပေးသွင်းသူတစ် ဦး အနေဖြင့်ကျွန်ုပ်တို့၏ကိုယ်ပိုင်စက်ရုံရှိသည်။ သင်၏ဒေသဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်စိတ်ကြိုက် 0 န်ဆောင်မှုများလိုအပ်ပါသလား။
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept