စက်မှုသတင်း

ငါတို့ရှိသမျှသည်ထိတ်လန့်တုန်လှုပ်ချောက်ချားခံစားရတယ်။ သင့်ဖုန်းဘက်ထရီသည် 5% ရှိပြီး, သင့်တွင်မိနစ်အနည်းငယ်တွင်မိနစ်အနည်းငယ်ရှိပြီးစက္ကန့်တိုင်းသည်ထာဝရကာလကဲ့သို့ခံစားခဲ့ရသည်။ ဤစိုးရိမ်ပူပန်မှုကိုအဆုံးသတ်ရန်လျှို့ဝှက်ချက်သည်လုံးဝဓာတုဗေဒအသစ်တွင်မဟုတ်ဘဲဘက်ထရီအတွင်းရှိအခြေခံကျသောအကြောင်းအရာများကိုပြန်လည်ပြုပြင်ခြင်းတွင်မည်သည့်နေရာတွင်မပါရှိလျှင်ကော။ The Tech Tech Tech ၏ရှေ့တန်းမှဆယ်စုနှစ်နှစ်ခုလုံးတွင်ကျွန်ုပ်မြင်တွေ့ခဲ့ရသည်။ သို့သော် sous ဖိုက်ဖိုက်ပတ်ပတ်လည် buzz သည်ကွဲပြားခြားနားသည်။ ဒါဟာတစ်ခု incremental ခြေလှမ်းမဟုတ်ပါဘူး; ၎င်းသည်စွမ်းအင်သိုလှောင်ရေးဒီဇိုင်းကိုကျွန်ုပ်တို့ချဉ်းကပ်ပုံတွင်အခြေခံပြောင်းလဲခြင်းကိုကိုယ်စားပြုသည်။

Vetek တွင်ကျွန်ုပ်တို့သည်အပူချိန်မြင့်တက်နေသည့်စက်မှု 0 ယ်ယူရန်တောင်းဆိုသည့်စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက်ကျွန်ုပ်တို့၏ ISOTROPCARTITE Solutions များကိုသန့်ရှင်းရေးလုပ်ရန်ဆယ်စုနှစ်များစွာကြာခဲ့သည်။ ဤအကြောင်းအရာသည်ထိပ်တန်းရွေးချယ်မှုတစ်ခုအဘယ်ကြောင့်နှင့်ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များကယှဉ်ပြိုင်မှုထက်ပိုသောရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။

Semiconductor Independing တွင်အလုပ်လုပ်ခဲ့ပြီးဆယ်စုနှစ်တစ်ခုကျော်ကြာလုပ်ခဲ့ပြီးဆယ်စုနှစ်တစ်ခုကျော်ကြာသောပစ္စည်းရွေးချယ်မှုသည်အပူချိန်မြင့်မားသောစွမ်းအားမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်မည်မျှဖြစ်နိုင်သည်ကိုကိုယ်တိုင်ကိုယ်ကျနားလည်ပါသည်။ Vetek's Sic Block ကိုကျွန်တော်မတွေ့မှီတိုင်အောင်ငါနောက်ဆုံးတွင်အမှန်တကယ်ယုံကြည်စိတ်ချရသောဖြေရှင်းနည်းတစ်ခုကိုတွေ့ရသည်။

Semiconductor Troducturing Industry တွင် device size ဆက်လက်ကျဆင်းနေသည်နှင့်အမျှပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ရုပ်ပစ္စည်းများ၏အစစ်ခံနည်းပညာသည်မကတိအတိုင်းမကြုံစဖူးစိန်ခေါ်မှုများကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အနုမြူအလွှာအစစ်ခံ (ALD) သည်အက်တမ်အဆင့်တွင်တိကျသောထိန်းချုပ်မှုကိုရရှိနိုင်သောပါးလွှာသောရုပ်ရှင်အစိုးရ၏နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာနည်းပညာနည်းပညာသည် Semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှု၏မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် ALD ၏လုပ်ငန်းစဉ်စီးဆင်းမှုနှင့်အခြေခံမူများကို Advanced chip processing တွင်နားလည်ရန်ကူညီရန်ရည်ရွယ်သည်။

ပြီးပြည့်စုံသော ပုံဆောင်ခဲအခြေခံအလွှာပေါ်တွင် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ သို့မဟုတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို တည်ဆောက်ရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် epitaxy (epi) လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 0.5 မှ 20 microns ခန့်ရှိသော သေးငယ်သောပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် ကောင်းမွန်သောတစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုကို မြှုပ်နှံရန် ရည်ရွယ်သည်။ epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်သည် အထူးသဖြင့် ဆီလီကွန် wafer ထုတ်လုပ်မှုတွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးသော အဆင့်တစ်ခုဖြစ်သည်။

Egitaxy နှင့် Atomic Layer Stosition (ALD) အကြားအဓိကကွာခြားချက် (ALD) သည်သူတို့၏ရုပ်ရှင်ကြီးထွားမှုယန္တရားများနှင့်လည်ပတ်မှုအခြေအနေများတွင်တည်ရှိသည်။ Egitaxy သည်တူညီသောသို့မဟုတ်အလားတူကြည်လင်သောပုံသဏ္ဌာန်ရှိသည့်ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင်ပုံဆောင်ခဲသောအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင်ပုံဆောင်ခဲပြောင်ပြောင်ပြောင်ပြောင်တင်းတင်းရှာဖွေခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုရည်ညွှန်းသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေဖြင့် Ald သည်အစုတခုနှင့်အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီးတစ်ချိန်တည်းတွင်အက်တမ်အလွှာတစ်ခုဖြစ်သောအဏုမြူအလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်အတွက်မတူညီသောဓာတုဗေဒဆိုင်ရာကြိုတင်ပြင်ဆင်မှုများကိုဖော်ထုတ်ခြင်းပါဝင်သည်။

CVD TAC Coating သည်အလွှာတစ်ခု (ပုန်းအောင်း) တွင်သိပ်သည်းသောကြာရှည်ခံသည့်အဖုံးကိုဖွဲ့စည်းရန်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် TAC ကိုအပူချိန်မြင့်မားသောမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိအလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်သို့အပ်နှံခြင်း,

8 လက်မ Silicon Carbide (SIC) လုပ်ငန်းစဉ်ရင့်ကျက်သောအနေဖြင့်ထုတ်လုပ်သူများသည် 6 လက်မမှ 8 လက်မမှ 8 လက်မမှပြောင်းကုန်ပြီဖြစ်သည်။ မကြာသေးမီက Semiconductor နှင့် Resonac တွင် 8 လက်မ SIC ထုတ်လုပ်မှုတွင်နောက်ဆုံးသတင်းများကိုကြေငြာခဲ့သည်။

ဤဆောင်းပါးသည် 200 မီလီမီတာ SIC တွင်ယူနီဖောင်း 4H-Sic Explex Explipe လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကိုဤဆောင်းပါးသည်အသစ်သောဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော PE1O8 Hot-Wall CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို၏နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများကိုမိတ်ဆက်ပေးသည်။

ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် SiC ပစ္စည်းများ လိုအပ်ချက် တိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှ SiC တစ်ခုတည်းသော crystal တိုးတက်မှုနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆန်းသစ်တီထွင်မှု၏ အဓိကနယ်ပယ်တစ်ခု ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ SiC တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုကိရိယာ၏အဓိကအချက်အနေဖြင့်၊ အပူပိုင်းနယ်ပယ်ဒီဇိုင်းသည် ကျယ်ပြန့်သောအာရုံစိုက်မှုနှင့် အတွင်းကျကျသုတေသနပြုမှုများကို ဆက်လက်ရရှိမည်ဖြစ်သည်။

စဉ်ဆက်မပြတ်နည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့် အတွင်းကျကျယန္တရား သုတေသနပြုခြင်းဖြင့် 3C-SiC heteroepitaxial နည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ပိုမိုအရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို မြှင့်တင်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်။

Spatial ALD၊ နေရာဒေသအလိုက် သီးခြားခွဲထားသော အနုမြူအလွှာ အစစ်ခံခြင်း။ wafer သည် မတူညီသော ရာထူးများကြား ရွေ့လျားပြီး နေရာတစ်ခုစီတွင် မတူညီသော ရှေ့ပြေးနိမိတ်များနှင့် ထိတွေ့သည်။ အောက်ပါပုံသည် ရိုးရာ ALD နှင့် နေရာဒေသအလိုက် သီးခြားခွဲထားသော ALD အကြား နှိုင်းယှဉ်ချက်ဖြစ်သည်။

မကြာသေးမီကဂျာမန်သုတေသနဌာနသည် Tantalum Carbide Technology နည်းပညာသုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်အောင်မြင်မှုရရှိခဲ့ပြီး CVD စုပ်ယူမှုဖြေရှင်းချက်ထက်ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့်သဟဇာတဖြစ်သောရေမှုန်ရေမွှားညှိနှိုင်းမှုဖြေရှင်းနည်းကိုတီထွင်ခဲ့သည်။

အရှိန်အဟုန်ဖြင့် နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်သည့်ခေတ်တွင် အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ၏ အရေးကြီးသော ကိုယ်စားလှယ်အဖြစ် 3D ပုံနှိပ်စက်သည် သမားရိုးကျကုန်ထုတ်လုပ်မှု၏ မျက်နှာစာကို တဖြည်းဖြည်း ပြောင်းလဲလျက်ရှိသည်။ နည်းပညာများ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် ရင့်ကျက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် 3D ပုံနှိပ်စက်နည်းပညာသည် အာကာသယာဉ်၊ မော်တော်ကားထုတ်လုပ်ရေး၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများနှင့် ဗိသုကာဒီဇိုင်းစသည့် နယ်ပယ်များစွာတွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုအလားအလာများကို ပြသခဲ့ပြီး အဆိုပါစက်မှုလုပ်ငန်း၏ ဆန်းသစ်တီထွင်မှုနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခဲ့သည်။

တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်ပစ္စည်းများတစ်ခုတည်းသော Sememonductor ထုတ်ကုန်အမျိုးမျိုးထုတ်လုပ်မှု၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ 1959 ခုနှစ်အကုန်ပိုင်းတွင် Crystal ရုပ်ပစ္စည်းကြီးထွားမှုနည်းပညာ၏ပါးလွှာသောအလွှာတစ်ခု - epitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းကိုတီထွင်ခဲ့သည်။

ဆီလီကွန်ကာလက်သည်မြင့်မားသောအပူချိန်, ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း, ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်စေရန်နှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်ကြီးမားသော silicon carbide အလွှာများ၏ပြင်ဆင်မှုသည်အရေးကြီးသောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းဖြစ်သည်။