စက်မှုသတင်း

Tantalum Carbide (TAC) ကိုကန့်သတ်ထားသော Semiconductor field များတွင်အဓိကအားဖြင့် Estitaxial Commonomal Commonents, Crystal Componoms ၏အစိတ်အပိုင်းများ, အပူချိန်မြင့်မားသောစက်မှုလုပ်ငန်းအစိတ်အပိုင်းများ,

SIC ofagaxial တိုးတက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း SIC COC COC COUCTEDING ဆိုင်းငံ့မှုပျက်ကွက်မှုဖြစ်နိုင်သည်။ ဤစာတမ်းသည်အဓိကအားဖြင့်အချက်နှစ်ချက်များပါ 0 င်သော SIC coable coagner လုပ်ရပ်၏ပျက်ကွက်မှုဖြစ်စဉ်ကိုတိကျခိုင်မာစွာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းကိုပြုလုပ်ခဲ့သည်။

ဤဆောင်းပါးတွင် အဓိကအားဖြင့် Molecular Beam Epitaxy ဖြစ်စဉ်နှင့် သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာများ၏ သက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ် အားသာချက်များနှင့် ကွဲပြားမှုများကို ဆွေးနွေးထားသည်။

VeTek Semiconductor ၏ Porous Tantalum Carbide သည် SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာပစ္စည်း မျိုးဆက်သစ်တစ်ခုအနေဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သောထုတ်ကုန်ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာအမျိုးမျိုးတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။