စက်မှုသတင်း

Hot The Side Sideing SIC SIC ကြွေထည်များကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက်အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ပူပြင်းသည့်အချိန် Sintering ၏ဖြစ်စဉ်တွင် - မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးအမှုန့်ကိုရွေးချယ်ခြင်း, ဤနည်းလမ်းဖြင့်ပြင်ဆင်သော SIC ကြွေထည်များသည်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်းနှင့်သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း၏အားသာချက်များရှိပြီးကျယ်ပြန့်သော discs များနှင့်အပူထုတ်ပေးပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုကြသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ၏ အဓိက တိုးတက်မှုနည်းလမ်းများတွင် PVT၊ TSSG နှင့် HTCVD တို့ပါဝင်သည်၊ တစ်ခုစီတွင် ထူးခြားသောအားသာချက်များနှင့် စိန်ခေါ်မှုများရှိသည်။ ကာဗွန်အခြေခံအပူဓာတ်အခြေခံပစ္စည်းများသည် SiC ၏တိကျသောဖန်တီးမှုနှင့်အသုံးချမှုအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သန့်ရှင်းမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ကာဗွန်အခြေခံအပူကွက်များ၊

SiC သည် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သံချေးတက်မှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်းမှတစ်ဆင့် ဖန်တီးထားပြီး မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် ကိုက်ညီသော ရာဇမတ်ကွက်များကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်း၏အနိမ့်အပူချဲ့ထွင်မှုနှင့် မာကျောမှုမြင့်မားမှုသည် တာရှည်ခံမှုနှင့် တိကျမှုကိုသေချာစေပြီး wafer carriers၊ preheating rings နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့ applications များတွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ VeTek Semiconductor သည် မတူညီသော လုပ်ငန်းလိုအပ်ချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက် SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အထူးပြုပါသည်။

Silicon Carbide (SIC) သည်အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, ချေးခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, ၎င်းတွင်ကြည်လင်သောအဆောက်အအုံ 200 ကျော်ရှိသည်။ 3c-Sic သည်၎င်း၏လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုအတွက်ထွက်ပေါ်လာပြီးအာဏာပိုင်များကမောရှေအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၎င်းသည် nanoelectronics, အပြာရောင် LEDs နှင့်အာရုံခံကိရိယာများတွင်ကြီးမားသောအလားအလာကိုပြသသည်။

အလားအလာရှိသော စတုတ္ထမျိုးဆက် "ultimate semiconductor" သည် ၎င်း၏ထူးခြားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာများတွင် အာရုံစိုက်မှုရရှိနေသည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောကုန်ကျစရိတ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုစိန်ခေါ်မှုများက ၎င်း၏အသုံးပြုမှုကို ကန့်သတ်ထားသော်လည်း CVD သည် ဦးစားပေးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ မူးယစ်ဆေးဝါးနှင့် ကြီးမားသော ဧရိယာပုံဆောင်ခဲများကို စိန်ခေါ်နေသော်လည်း စိန်က ကတိပေးထားသည်။

Sic နှင့် Gan တို့သည် Silicon အတွက်အားသာချက်များရှိသော bandgap semiconductors များဖြစ်ပြီး, စွမ်းအင်စီးကူးခြင်းကြောင့်မြင့်မားသောဗို့အားမြင့်မားသောလျှပ်စစ်အက်ပလီကေးရှင်းများကပိုမိုကောင်းမွန်သောအီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုကြောင့်အလွန်အမင်းကြိမ်နှုန်းဖြင့်အဆင့်မြင့်အပလီကေးရှင်းများကြောင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သော voltage မြင့်မားသောအပလီကေးရှင်းများပိုမိုကောင်းမွန်သည်။