ion beam sputputputputpution singsings insid

ion beam အရင်းအမြစ်တစ်ခုမှာဇယားကွက်နှင့်အိုင်းယွန်းများကိုထုတ်ယူနိုင်စွမ်းရှိသောပလာစမာအရင်းအမြစ်ဖြစ်သည်။ OIPT (Oxford တူရိယာများ Plasma Technology Technology) အိုင်းယွန်းတွင်အဓိကအစိတ်အပိုင်းသုံးခုပါဝင်သည်။ ဥထွက်အခန်းကြီးတစ်ခန်း,

အိုင်းယွန်းတံထွေး sputter sputter singsings inside ၏ slomatatic ပုံကြမ်း

●ဥထွက်အခန်းကြီးquartz သို့မဟုတ် aluminium chamber သည် radio-frequency အင်တင်နာဖြင့် ဝန်းရံထားသည်။ ၎င်း၏အကျိုးဆက်မှာ ပလာစမာကို ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းစက်ကွင်းမှတဆင့် ဓာတ်ငွေ့ (များသောအားဖြင့် အာဂွန်) ကို အိုင်ယွန်ဖြစ်စေသည်။ ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းစက်ကွင်းသည် လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်များကို စိတ်လှုပ်ရှားစေပြီး ဓာတ်ငွေ့အက်တမ်များကို အိုင်းယွန်းနှင့် အီလက်ထရွန်များအဖြစ် ကွဲထွက်စေပြီး ပလာစမာကို ထုတ်ပေးသည်။ discharge chamber ရှိ RF အင်တာနာ၏ အဆုံးမှ အဆုံးအထိ ဗို့အားသည် အလွန်မြင့်မားပြီး ၎င်းတို့အား စွမ်းအင်မြင့်မားသော အိုင်းယွန်းများဖြစ်စေသည့် electrostatic effect သက်ရောက်စေသည်။

● ဇယားကွက်၏ အခန်းကဏ္ဍIon အရင်းအမြစ်တွင်အိုင်းယွန်းများကိုခွဲထုတ်ရန်နှင့်၎င်းတို့အားလိုအပ်သောစွမ်းအင်ကိုအရှိန်မြှင့်ရန်ဖြစ်သည်။ OIPT IOS BEAM ၏ GRID ၏ GRID သည်ကျယ်ပြန့်သော layout ပုံစံဖြင့် 2 ~ 3 Grids 2 ခုဖြင့်ရေးစပ်ထားသည်။ ဇယားကွက်၏ဒီဇိုင်းအသွင်အပြင်များတွင်အိုင်းယွန်းများ၏စွမ်းအင်ကိုထိန်းချုပ်ရန်လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီချိန်ညှိနိုင်သည့်အကွာအဝေးနှင့်အဖြစ်များတတ်သည်တို့ပါဝင်သည်။

● ကြားခံဆေးအိုင်းယွန်ရောင်ခြည်တွင် ionic charge ကိုအိုင်းယန်ငွေသွင်းခြင်းကိုပျက်ပြားစေသည့်အီလက်ထရောနစ်အရင်းအမြစ်သည်အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ကိုလျော့နည်းသွားစေပြီး, အလိုဆန္ဒအမျိုးမျိုးအတွက်အမျိုးမျိုးသောရလဒ်များကိုဟန်ချက်ညီစေရန်ကြားနေနှင့်အခြားသတ်မှတ်ချက်များအကြားအပြန်အလှန်အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ပါ။ အိုင်းယွန်းများမတူကွဲပြားမှုသည်ဓာတ်ငွေ့များပြန့်ပွားခြင်းနှင့်ဗို့အားအမျိုးမျိုးသောဗို့အားနှင့်အမျိုးမျိုးသော parametersing အပါအ 0 င် parameters များအပေါ်မတူကွဲပြားမှုကြောင့်ထိခိုက်သည်။

OIPT IOS BEAM ၏လုပ်ငန်းစဉ်သည် Quartz အခန်းထဲရှိလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးမျက်နှာပြင်အားဖြင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးမျက်နှာပြင်ကိုနေရာချခြင်းနှင့်ဇယားကွက်တည်ဆောက်ပုံကိုကျင့်သုံးခြင်းဖြင့်တိုးတက်စေသည်။ Electrostatic Screen သည် Elyrostatic Field ကို ion source သို့ 0 င်ရောက်ခြင်းကိုကာကွယ်ပေးသည်။ သုံးဇယားကွက်ကိုဆန့်ကျင်သောဇယားကွက်နှင့်အိုင်းယွန်းများ၏ရင်ခုန်မှုနှင့်ထိရောက်မှုတိုးတက်စေရန်အိုင်းယွန်းများကိုမောင်းနှင်နိုင်သည့်ဇယားကွက်နှင့်အိုင်းယွန်းများကိုမောင်းနှင်နိုင်သည့်ဇယားကွက်နှင့်အိုင်းယွန်းများကိုမောင်းနှင်နိုင်သည်.

ပုံ 1. အလင်းတန်းဗို့အားရှိရင်းမြစ်အတွင်းပလာစမာ

ပုံ 12 ။ BEAM ဗို့အား AT Plasma Plasma

ပုံ 3. အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းများ ထုတ်ယူခြင်းနှင့် အစစ်ခံစနစ်၏ ဇယားကွက်

undering နည်းစနစ်များသည်အဓိကအားဖြင့်အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားသည်။

● Inert Gases (ibe) နှင့်အတူအိုင်းယွန်းရောင်ကပ်မှုဖြေ - ဒီနည်းလမ်းမှာ archon ား, xenon, Neon, Neon, ဒါမှမဟုတ် Krypton စတဲ့ inert ဓာတ်ငွေ့တွေကိုအသုံးပြုခြင်းပါ 0 င်သည်။ Ibe သည်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာစွဲကပ်မှုကိုထောက်ပံ့ပေးပြီးသတ္တု, ပလက်တီရိယမ်နှင့်ပယ်လေဒီယမ်ကဲ့သို့သောသတ္တုများကိုထုတ်လုပ်ခွင့်ပြုသည်။ Multilayer ပစ္စည်းများအတွက် iBE သည်သံလိုက်ကျပန်းလက်လှမ်းမီမှု Memory (MRAM) ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်ဖော်ပြထားသည့်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်းရိုးရှင်းမှုနှင့်ထိရောက်မှုကြောင့် ဦး စားပေးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။

● Reactive Ion Beam Etching (RIBE): ရီဗီးယန်းကဲ့သို့သောဓာတ်ငွေ့ကဲ့သို့သောဓာတ်ငွေ့များကဲ့သို့ sf6, chf3, cf4, cf4, cf4, cf4, ဤနည်းပညာသည်ဓာတုဓာတ်ပြုမှုကိုမိတ်ဆက်ပေးခြင်းဖြင့်စွဲချက်နှုန်းနှင့်ရုပ်ပစ္စည်းရွေးချယ်မှုကိုတိုးမြှင့်စေသည်။ Rii ကိုစွဲချက်အရင်းအမြစ်မှတဆင့်သို့မဟုတ်အလွှာပလက်ဖောင်းပေါ်ရှိချစ်ပ်နှင့်ပတ်သတ်သောပတ်ဝန်းကျင်မှတစ်ဆင့်မိတ်ဆက်ပေးနိုင်သည်။ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာအရအိုင်းရစ် BEJ Beat ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion ion (cope) ဟုလူသိများသောနောက်ဆုံးနည်းလမ်းသည်ပိုမိုမြင့်မားသောထိရောက်မှုကိုပေးသည်။

Ion beam etching သည် material processing နယ်ပယ်တွင် အားသာချက်များစွာကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်းသည် ကွဲပြားခြားနားသောပစ္စည်းများကို ထွင်းထုရန် ၎င်း၏စွမ်းရည်တွင် ထူးချွန်ပြီး ပလာစမာ ထွင်းထုခြင်းနည်းပညာအတွက် အစဉ်အလာအားဖြင့် စိန်ခေါ်မှုရှိသောသူများအထိပင် ချဲ့ထွင်နိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ နည်းလမ်းသည် နမူနာစောင်းခြင်းမှတစ်ဆင့် ဘေးနံရံပရိုဖိုင်များကို ပုံသဏ္ဍာန်ပြုလုပ်နိုင်စေပြီး etching လုပ်ငန်းစဉ်၏တိကျမှုကို တိုးမြှင့်စေသည်။ ဓာတုဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များကို မိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့်၊ အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းများကို ခြစ်ထုတ်ခြင်းသည် အက်ဆစ်နှုန်းကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ပစ္စည်းကို အမြန်ဖယ်ရှားရန် နည်းလမ်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ 

ထိုနည်းပညာသည်အိုင်းရစ်ရောင်ခြည်စီးခြင်းနှင့်စွမ်းအင်ကဲ့သို့သောအရေးပါသော parameters များကိုလည်းလွတ်လပ်သောထိန်းချုပ်မှုများအပေါ်လွတ်လပ်စွာထိန်းချုပ်ထားကြသည်။ အထူးသဖြင့်အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်သည်တသမတ်တည်းနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရသောရလဒ်များကိုသေချာစွာပြုလုပ်နိုင်သည်။ ထို့အပြင်၎င်းသည်ပုံများသို့တသမတ်တည်းပစ္စည်းဖယ်ရှားခြင်းအတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ ၎င်း၏ကျယ်ပြန့်သောဖြစ်စဉ်ကိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိခြင်းဖြင့်အိုင်းယွန်းပမာဏသည်ရုပ်ပစ္စည်းဖန်တီးမှုနှင့်အသေးစားဘိန်းစားသုံးမှုအတွက်စွယ်စုံနှင့်အစွမ်းထက်သောကိရိယာတစ်ခုအဖြစ်ရပ်တည်သည်။

အဘယ်ကြောင့် Vetek Semiconductor Gradite ပစ္စည်းသည်အိုင်းယွန်ရောင်ခြည်ဇယားများပြုလုပ်ရန်သင့်တော်သနည်း။

● လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း: Captite သည်အိုင်းယွန်းလောင်းကြေးများကိုအရှိန်မြှင့်တင်ရန်အိုင်းယွန်းများကိုထိရောက်စွာလမ်းညွှန်ရန်အိုင်းယွန်းဇယားကွက်အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။

●ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု: Graphite သည် ဓာတုဗေဒအရ တည်ငြိမ်ပြီး၊ ဓာတုတိုက်စားမှုနှင့် ချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ သမာဓိနှင့် စွမ်းဆောင်ရည် တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။

● စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှု- Graphite သည် ion beam အရှိန်မြှင့်နေစဉ်အတွင်း ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သော တွန်းအားများနှင့် ဖိအားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန် လုံလောက်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားနှင့် တည်ငြိမ်မှုရှိသည်။

● အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု: Graphite သည် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုကို သက်သေပြပြီး ၎င်းသည် အိုင်ယွန်းရောင်ခြည် ကိရိယာအတွင်း အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ချို့ယွင်းမှု သို့မဟုတ် ပုံပျက်ခြင်းမရှိဘဲ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

VeTek Semiconductor Ion Beam Sputter အရင်းအမြစ်ဇယားကွက်ထုတ်ကုန်များ-