PPOP ထုတ်လုပ်မှု - MOSFet ၏လုပ်ငန်းစဉ်စီးဆင်းမှု

Photolithography ပါဝင်သည့် Photolithography ပါဝင်သည်။ကပ်ခြင်း, ပျံ့နှံ့ခြင်း။, ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်, အင်း, ion implantation, သန့်ရှင်းရေး, သန့်ရှင်းရေး, သန့်ရှင်းရေး, သန့်ရှင်းရေး, သန့်ရှင်းရေး, စင်ကြယ်ခြင်း,

1.We ပထမ ဦး ဆုံးတစ် ဦး ရှိသည်အလွှာအထိ 99.9999999% အထိဆီလီကွန်သန့်ရှင်းရေးနှင့်အတူ။

2 ။ ဆီလီကွန်ကြည်လင်အလွှာပေါ်ရှိအောက်ဆိုဒ်အလွှာတစ်ခုကြီးထွားလာသည်။

3 ။ လှည့်ဖျား - အင်္ကျီ Photoresist အညီအမျှ။

4.Photolithography ကို photomask ပေါ်ရှိ ပုံစံကို photoresist သို့ လွှဲပြောင်းရန် photomask ဖြင့် ပြုလုပ်ပါသည်။

5. ဓါတ်ပြုနိုင်သောနေရာရှိ photoresist သည် ဖွံ့ဖြိုးပြီးနောက်တွင် ဆေးကြောသည်။

6 ။ photolithography ပုံစံကိုပြောင်းရွှေ့ခြင်းမှတစ်ဆင့် Photolithography မှတစ်ဆင့် Photoresist မှဖုံးအုပ်ထားခြင်းမရှိသောအောက်ဆိုဒ်ကိုဖယ်ထုတ်ပါညှစ်.

7. ပိုလျှံနေသော photoresist ကို သန့်စင်ပြီး ဖယ်ရှားပါ။

8 ။ နောက်ထပ်ပါးလွှာသည်အောက်ဆိုဒ်ရုပ်ရှင်. ၎င်းနောက်၊ အထက်ဖော်ပြပါ ဓါတ်ပုံရိုက်နည်းနှင့် ထွင်းထုခြင်းမှတဆင့်၊ ဂိတ်ဧရိယာရှိ အောက်ဆိုဒ်ဖလင်များကိုသာ သိမ်းဆည်းထားသည်။

9. ၎င်းပေါ်တွင် ပိုလီစီလီကွန်အလွှာကို စိုက်ပါ။

10 ။ အဆင့် 7 တွင်ကဲ့သို့ photolithography နှင့် polysilicon ကိုသာ polysileon ကိုသာသိမ်းထားပါ။

11. အောက်ဆိုဒ်များနှင့်တံခါးကို photolithography သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းဖြင့်သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းဖြင့်ပြုလုပ်သည်Ion-implantsedနှင့်အရင်းအမြစ်နှင့်ယိုစီးမှုရှိလိမ့်မည်။

12 ။ ပြောင်ပြောင်ပြောင်တင်းတင်းပေါ်ပေါက်လာသောရုပ်ရှင်အလွှာကိုစိုက်ပျိုးပါ။

13. အရင်းအမြစ်၊ တံခါးနှင့် မြောင်းများ၏ အဆက်အသွယ်အပေါက်များကို photolithography နှင့် etching ဖြင့် ထွင်းပါ။

14 ။ ထို့နောက်ရင်းမြစ်, ဂိတ်နှင့်ယိုစီးမှုအတွက်သတ္တုဝါယာကြိုးများပြုလုပ်နိုင်ရန်သတ္တုဝါယာကြိုးများရှိလိမ့်မည်။

နောက်ဆုံးအနေဖြင့်မော်ဒယ်လ်ကိုလုပ်ငန်းစဉ်အမျိုးမျိုးပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့်ထုတ်လုပ်သည်။

တကယ်တော့၊ ချစ်ပ်ရဲ့အောက်ခြေအလွှာမှာ transistor အများအပြားနဲ့ ဖွဲ့စည်းထားပါတယ်။

Mosfet ထုတ်လုပ်ခြင်းပုံ, အရင်းအမြစ်, ဂိတ်, ယိုစီးမှု

အမျိုးမျိုးသော ထရန်စစ္စတာများသည် လော့ဂျစ်ဂိတ်များဖြစ်သည်။

Logic Gates သည်ဂဏန်းသင်္ချာယူနစ်များဖွဲ့စည်းသည်

နောက်ဆုံးအနေဖြင့်၎င်းသည်လက်ချောင်းအရွယ်ရှိသည့် chip တစ်ခုဖြစ်သည်