သတင်း

Hot The Side Sideing SIC SIC ကြွေထည်များကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက်အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ပူပြင်းသည့်အချိန် Sintering ၏ဖြစ်စဉ်တွင် - မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးအမှုန့်ကိုရွေးချယ်ခြင်း, ဤနည်းလမ်းဖြင့်ပြင်ဆင်သော SIC ကြွေထည်များသည်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်းနှင့်သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း၏အားသာချက်များရှိပြီးကျယ်ပြန့်သော discs များနှင့်အပူထုတ်ပေးပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုကြသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ၏ အဓိက တိုးတက်မှုနည်းလမ်းများတွင် PVT၊ TSSG နှင့် HTCVD တို့ပါဝင်သည်၊ တစ်ခုစီတွင် ထူးခြားသောအားသာချက်များနှင့် စိန်ခေါ်မှုများရှိသည်။ ကာဗွန်အခြေခံအပူဓာတ်အခြေခံပစ္စည်းများသည် SiC ၏တိကျသောဖန်တီးမှုနှင့်အသုံးချမှုအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သန့်ရှင်းမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ကာဗွန်အခြေခံအပူကွက်များ၊

SiC သည် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် သံချေးတက်မှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်းမှတစ်ဆင့် ဖန်တီးထားပြီး မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် ကိုက်ညီသော ရာဇမတ်ကွက်များကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်း၏အနိမ့်အပူချဲ့ထွင်မှုနှင့် မာကျောမှုမြင့်မားမှုသည် တာရှည်ခံမှုနှင့် တိကျမှုကိုသေချာစေပြီး wafer carriers၊ preheating rings နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့ applications များတွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ VeTek Semiconductor သည် မတူညီသော လုပ်ငန်းလိုအပ်ချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက် SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အထူးပြုပါသည်။