ဝဘ်မီနူး

ထုတ်ကုန်ရှာဖွေမှု

ဘာသာစကား

သတင်း

သတင်း

ကျွန်ုပ်တို့၏အလုပ်၏ရလဒ်များ၊ ကုမ္ပဏီသတင်းများနှင့် သင့်အား အချိန်နှင့်တစ်ပြေးညီ တိုးတက်မှုများနှင့် ဝန်ထမ်းခန့်အပ်မှုနှင့် ဖယ်ရှားမှုအခြေအနေများအကြောင်း သင့်အား မျှဝေလိုသည်မှာ ဝမ်းမြောက်မိပါသည်။
ကုမ္ပဏီသတင်းစက်မှုသတင်း
အဘယ်ကြောင့် SIC coatited supabor ကိုအဘယ်ကြောင့်ပျက်ကွက်သနည်း။ - Vetek Semiconductor21 2024-11

အဘယ်ကြောင့် SIC coatited supabor ကိုအဘယ်ကြောင့်ပျက်ကွက်သနည်း။ - Vetek Semiconductor

SIC ofagaxial တိုးတက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း SIC COC COC COUCTEDING ဆိုင်းငံ့မှုပျက်ကွက်မှုဖြစ်နိုင်သည်။ ဤစာတမ်းသည်အဓိကအားဖြင့်အချက်နှစ်ချက်များပါ 0 င်သော SIC coable coagner လုပ်ရပ်၏ပျက်ကွက်မှုဖြစ်စဉ်ကိုတိကျခိုင်မာစွာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းကိုပြုလုပ်ခဲ့သည်။
MBE နှင့် MOCVD နည်းပညာများအကြား ကွာခြားချက်များကား အဘယ်နည်း။19 2024-11

MBE နှင့် MOCVD နည်းပညာများအကြား ကွာခြားချက်များကား အဘယ်နည်း။

ဤဆောင်းပါးတွင် အဓိကအားဖြင့် Molecular Beam Epitaxy ဖြစ်စဉ်နှင့် သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာများ၏ သက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ် အားသာချက်များနှင့် ကွဲပြားမှုများကို ဆွေးနွေးထားသည်။
Porous Tantalum carbide: SIC Crystal ကြီးထွားမှုအတွက်မျိုးဆက်သစ်များ18 2024-11

Porous Tantalum carbide: SIC Crystal ကြီးထွားမှုအတွက်မျိုးဆက်သစ်များ

VeTek Semiconductor ၏ Porous Tantalum Carbide သည် SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာပစ္စည်း မျိုးဆက်သစ်တစ်ခုအနေဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သောထုတ်ကုန်ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာအမျိုးမျိုးတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။
X
သင့်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြည့်ရှုမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်ရန်၊ ဆိုက်အသွားအလာကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပြီး အကြောင်းအရာကို ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွတ်ကီးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤဆိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ cookies အသုံးပြုမှုကို သင်သဘောတူပါသည်။ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ
ငြင်းပယ်ပါ။လက်ခံပါတယ်။